掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料介紹晶圓表面污染，尤其是顆粒污染物，自半導(dǎo)體行業(yè)誕生以來(lái)一直是主要問(wèn)題之一。完全加工的硅晶片的良率與晶片的缺陷密度成反比。降低缺陷密度的一種方法是使用有效的清潔技術(shù)來(lái)有效去除顆粒污染物。由于顆粒和基板之間的強(qiáng)靜電力，小顆粒特別難以從晶片上去除。因此，迫切需要找到一種有效的方法來(lái)有效地去除晶片上的顆粒，并且不會(huì)損壞晶片?，F(xiàn)代晶圓制造設(shè)施使用嚴(yán)格的污染控制協(xié)議，包括使用潔凈室防護(hù)服、乳膠手套和高度凈化的通風(fēng)系統(tǒng)。結(jié)合這些協(xié)議，現(xiàn)代制造設(shè)施使用各種清潔晶片的方法，通常涉及加壓水噴射擦洗、旋轉(zhuǎn)晶片洗滌器、濕化學(xué)浴和沖洗以及類似系統(tǒng)。然而，這些工藝容易損壞晶片。此外，化學(xué)過(guò)程具有與使用化學(xué)品相關(guān)的固有危險(xiǎn)，例如硫酸、氫氧化銨和異丙醇。......結(jié)論 已經(jīng)提出了一種使用超聲波頻率范圍內(nèi)的聲能清潔硅晶片的新穎而有效的技術(shù)。這種新方法已經(jīng)證明，可以使用超聲波能量從裸硅晶片表面有效去除各種尺寸的顆粒。 略 本文簡(jiǎn)述了半導(dǎo)體晶圓，污染物顆粒，造型等問(wèn)題 文章全部詳情，請(qǐng)加華林科納V了解：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 在印刷和蝕刻生產(chǎn)厚金屬膜中的精密圖案時(shí)，需要對(duì)化學(xué)蝕刻劑有基本的了解，以實(shí)現(xiàn)工藝優(yōu)化和工藝控制。為了蝕刻純鋁電路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的配方。 研究的目的是確定蝕刻速率和圖案定義對(duì)正磷酸濃度從50%到 95%(v/v)s多磷酸濃度從50%到5%的變化的敏感性(v/v),氯化鐵(III)濃度為10-40g/L,溶解鋁濃度為0.0-5.0g/L。 得出的結(jié)論是，正磷酸、多磷酸、氯化鐵蝕刻劑系統(tǒng)允許蝕刻 劑制備和電路處理的合理變化，而不會(huì)顯著影響蝕刻的純鋁電 路的線寬減小和邊緣質(zhì)量。 在所研究的范圍內(nèi)，在正磷酸濃度為75%至95%和氯化鐵濃度 為10g/LB寸，可獲得最佳的圖案清晰度和線寬減小。為了保持這種最佳狀態(tài)，需要溫度控制和對(duì)蝕刻產(chǎn)物積累的密切監(jiān)控，建立了原子吸收分光光度法測(cè)定溶解鋁濃度的方法。 未來(lái)的工作將包括評(píng)估溴化鐵、硫酸化鐵和過(guò)渡金屬氧化物鹽，如鎳、鈷、錳、釕和鋨，作為氧化鐵的可能代替品。其他研究將集中在蝕刻反應(yīng)的分析特征上。 介紹 在印刷電路工業(yè)中，化學(xué)蝕刻長(zhǎng)期以來(lái)一直是在金屬膜中產(chǎn)生精確圖案的公認(rèn)方法。蝕刻結(jié)合目前的光刻技術(shù)，提供了亞微米線分辨率。盡管隨...
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掃碼添加微信，獲取更多相關(guān)濕法資料1.刻蝕速率刻蝕速率是指在刻蝕過(guò)程中去除硅片表面材料的速度通常用Å/min表示， 刻蝕窗口的深度稱為臺(tái)階高度。 為了高的產(chǎn)量， 希望有高的刻蝕速率。 在采用單片工藝的設(shè)備中， 這是一個(gè)很重要的參數(shù)。 刻蝕速率由工藝和設(shè)備變量決定， 如被刻蝕材料類型、 蝕機(jī)的結(jié)構(gòu)配置、 使用的刻蝕氣體和工藝參數(shù)設(shè)置。 2.刻蝕剖面刻蝕剖面指的是被刻蝕圖形的側(cè)壁形狀。 有兩種基本的刻蝕剖面： 各向同性和各向異性刻蝕剖面。各向同性的刻蝕剖面是在所有方向上(橫向和垂直方向) 以相同的刻蝕速率進(jìn)行刻蝕， 導(dǎo)致被刻蝕材料在掩膜下面產(chǎn)生鉆蝕面形成的，這帶來(lái)不希望的線寬損失。 濕法化學(xué)腐蝕本質(zhì)上是各向同性的，因而濕法腐蝕不用于亞微米器件制作中的選擇性圖形刻蝕。一些干法等離子體系統(tǒng)也能進(jìn)行各向同性刻蝕。 由于后續(xù)上藝步驟或者被刻蝕材料的特殊需要， 也自一些要用到各向同性腐蝕的地方。3.刻蝕偏差刻蝕偏差是指刻蝕以后線寬或關(guān)鍵尺寸間距的變化。它通常是由于橫向鉆蝕引起的， 但也能由刻蝕剖面引起。 當(dāng)刻蝕中要去除掩膜下過(guò)量的材料時(shí)， 會(huì)引起被刻蝕材料的上表面向光刻膠邊緣凹進(jìn)去， 這樣就會(huì)產(chǎn)生橫向鉆蝕。4.選擇比選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快多少。 它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比。高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。一個(gè)...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料平版印刷術(shù)被定義為“一種從已經(jīng)準(zhǔn)備好的平坦表面(如光滑的石頭或金屬板)印刷的方法，以便油墨僅粘附在將要印刷的設(shè)計(jì)上”。在半導(dǎo)體器件制造中，石頭是硅片，而墨水是沉積、光刻和蝕刻工藝的綜合效果，從而產(chǎn)生所需的特征。因?yàn)橛糜谄骷圃斓墓饪躺婕笆褂霉鈱W(xué)曝光來(lái)創(chuàng)建圖案，所以半導(dǎo)體光刻通常被稱為“光刻”。與已經(jīng)討論的檢查和計(jì)量技術(shù)一樣，光刻是圖案化的選擇技術(shù)，因?yàn)樗枪鈱W(xué)的，因此能夠?qū)崿F(xiàn)小特征和高晶片產(chǎn)量。這與直接書寫和壓印等其他技術(shù)形成對(duì)比。光刻的基本原理圖1示出了用于定義淺溝槽隔離特征的典型光刻工藝。這一過(guò)程包括以下步驟:1. 基板清潔和準(zhǔn)備2. 形成熱氧化層，并在干凈的襯底上沉積一層氮化硅3. 沉積碳硬掩模，然后沉積一層抗反射材料4. 沉積一層光刻膠5. 預(yù)烘焙光刻膠6. 對(duì)準(zhǔn)襯底/光刻膠和掩模版，使用紫外輻射和4x-5x成像曝光光刻膠。重復(fù)步驟和掃描7. 曝光后烘焙8. 在光致抗蝕劑中顯影圖案，并硬烘焙以去除剩余的溶劑9. 執(zhí)行蝕刻以打開電介質(zhì)抗反射涂層(DARC)和硬掩模圖案，并去除光致抗蝕劑和DARC10. 執(zhí)行蝕刻以在襯底中打開溝槽并去除硬掩模11. 清潔表面 ...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料光刻是將掩模上的幾何形狀轉(zhuǎn)移到硅片表面的過(guò)程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗；阻擋層的形成；光刻膠應(yīng)用；軟烤；掩模對(duì)準(zhǔn)；曝光和顯影；和硬烤。晶片清洗、阻擋層形成和光刻膠應(yīng)用在第一步中，晶片被化學(xué)清洗以去除表面上的顆粒物質(zhì)以及任何有機(jī)、離子和金屬雜質(zhì)的痕跡。清洗后，用作阻擋層的二氧化硅沉積在晶片表面。在二氧化硅層形成之后，光致抗蝕劑被施加到晶片的表面。硅片的高速離心旋轉(zhuǎn)是集成電路制造中應(yīng)用光刻膠涂層的標(biāo)準(zhǔn)方法。這種技術(shù)被稱為“旋涂”，在晶片表面產(chǎn)生一層薄而均勻的光刻膠。正性和負(fù)性光刻膠光刻膠有兩種:正片和負(fù)片。對(duì)于正性抗蝕劑，抗蝕劑在要去除底層材料的地方用紫外光曝光。在這些抗蝕劑中，暴露于紫外光會(huì)改變抗蝕劑的化學(xué)結(jié)構(gòu)，從而使其在顯影劑中更易溶解。然后曝光的抗蝕劑被顯影液洗掉，留下裸露的底層材料窗口。換句話說(shuō)，“無(wú)論什么節(jié)目，都會(huì)去。因此，掩模包含要保留在晶片上的圖案的精確拷貝。消極抵抗的行為正好相反。暴露在紫外光下會(huì)導(dǎo)致負(fù)性抗蝕劑聚合，并且更難溶解。因此，負(fù)性抗蝕劑在其被曝光的任何地方都保留在表面上，并且顯影劑溶液僅去除未曝光的部分。因此，用于負(fù)性光致抗蝕劑的掩模包含待轉(zhuǎn)印圖案的反轉(zhuǎn)(或照相“負(fù)片”)。下圖顯示了使用正性和負(fù)性抗蝕劑產(chǎn)生的圖案差異。 負(fù)抗蝕劑在集成電路加工的早期歷史中很流行，但是正抗蝕劑逐漸變得更廣泛使用，因?yàn)樗鼈優(yōu)樾缀翁?..
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制造工藝可以大致分為兩種工藝。一種是在襯底（晶圓）表面形成電路的工藝，稱為“前端工藝”。另一種是將形成電路的基板切割成小管芯并將它們放入封裝的過(guò)程，稱為“后端工藝”或封裝工藝。在半導(dǎo)體制造的傳統(tǒng)封裝工藝中，襯底（晶圓）被研磨到指定的厚度，然后進(jìn)行芯片分離（劃片、切割工藝）。 工藝流程1：各設(shè)備加工（單機(jī)）（每一步均由獨(dú)立設(shè)備執(zhí)行）保護(hù)膠帶（背面研磨用BG膠帶）層壓在晶圓表面的電路上，晶圓背面研磨至指定厚度，然后從晶圓表面去除保護(hù)膠帶。接下來(lái)，將切割膠帶（用于切割）安裝到晶圓背面，并將晶圓從表面切割成芯片。切割膠帶可防止芯片在切割后飛散。工藝流程 2：部分使用在線設(shè)備進(jìn)行加工 &#...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料在不斷推動(dòng)制造更小、更薄和更密集的芯片封裝的過(guò)程中，半導(dǎo)體行業(yè)更加關(guān)注將具有不同功能的單獨(dú)制造的組件集成到系統(tǒng)級(jí)封裝 (SIP) 中。這種被稱為異構(gòu)集成 (HI) 的方法現(xiàn)在推動(dòng)了行業(yè)的發(fā)展路線圖。SIP可在緊湊的外形尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)組件之間的高能效、高帶寬連接，并提供增強(qiáng)的功能和改進(jìn)的操作特性。這使它們成為消費(fèi)和通信設(shè)備等應(yīng)用的理想選擇。優(yōu)化SIP以用于這些需要更小、更快和消耗更少功率的高需求終端產(chǎn)品意味著使用背面研磨使它們盡可能薄。減薄晶圓需要解決和減輕完整性問(wèn)題。芯片貼膜 (DAF) 已成為必不可少的用于晶圓制備和引線鍵合單芯片和多芯片堆疊解決方案的分割。應(yīng)用于晶圓背面的高粘性 DAF 可用作芯片的粘合材料和支撐膜。晶圓分割完成后，受DAF保護(hù)的芯片會(huì)從支撐帶上取下并放置在基板上。然后以傾斜/偏移模式垂直堆疊多個(gè)管芯，并且管芯在邊緣進(jìn)行引線鍵合。圖 1 顯示了使用金剛石填充 DAF 創(chuàng)建的具有七個(gè)芯片層的堆疊芯片器件的示例橫截面。在層壓到 DAF 上之前，將硅晶片減薄至 200 微米，并使用雙軸切割鋸對(duì)經(jīng)過(guò) DAF 處理的器件晶片上的芯片進(jìn)行分割，如圖 2 所示。圖 1：具有高導(dǎo)熱性 DAF 的 7 芯片堆疊。圖 2：用于晶圓切割的雙主軸鋸盡管焊膏會(huì)釋氣、空洞并滲入其他區(qū)域，但 DAF 很容易控制。它不僅可以保持模具的鋒利邊緣和形狀，還可以保持模具...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法相關(guān)資料摘要硅晶片是制造集成電路 (IC) 使用最廣泛的基板。IC的質(zhì)量直接取決于硅片的質(zhì)量。制造高質(zhì)量的硅片需要一系列的工藝。同時(shí)雙面研磨 (SDSG) 是平整線鋸晶片的工藝之一。本文回顧了有關(guān)硅片 SDSG 的文獻(xiàn)，包括歷史、機(jī)器開發(fā)（包括機(jī)器配置、驅(qū)動(dòng)和支持系統(tǒng)以及控制系統(tǒng)）和工藝建模（包括磨痕和晶圓形狀）。它還討論了未來(lái)研究的一些可能的主題。 關(guān)鍵詞：研磨；加工; 造型; 半導(dǎo)體材料；硅片；同時(shí)雙面磨削 介紹集成電路 (IC) 廣泛用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、電信、汽車、消費(fèi)電子、工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)以及國(guó)防系統(tǒng)等應(yīng)用中。超過(guò) 90% 的 IC 構(gòu)建在硅片上. 全球每年生產(chǎn)約 1.5 億片不同尺寸的硅片. 2004年，全球硅片和半導(dǎo)體器件產(chǎn)生的收入為73億美元[3] 和 2130 億美元， 分別。作為平整硅片的工藝之一，同步雙面研磨 (SDSG) 具有巨大的潛力以低成本滿足對(duì)高質(zhì)量硅片的需求。本文回顧了有關(guān) SDSG 的文獻(xiàn)。在介紹部分之后，第 2 部分簡(jiǎn)要回顧了當(dāng)前可用的壓平硅晶片的工藝、每種工藝的優(yōu)缺點(diǎn)以及 SDSG 的建議應(yīng)用。第 3 節(jié)總結(jié)了 SDSG 的簡(jiǎn)要?dú)v史。第 4 節(jié)介紹了 SDSG 的機(jī)器開發(fā)，包括機(jī)器配置、驅(qū)動(dòng)和支持系統(tǒng)以及控制系統(tǒng)。過(guò)程建模SDSG 將在第 5 節(jié)中介紹。最后一節(jié)討論了 SDSG 未來(lái)研究的一...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料摘要按照典型的雙大馬士革工藝一步一步地識(shí)別晶圓斜面、背面和隔離區(qū)的銅(Cu)污染。 物理氣相沉積系統(tǒng)的屏蔽環(huán)不能有效地保護(hù)隔離區(qū)和斜面。 此外，銅可能溶解和積聚在用于介質(zhì)后蝕刻清潔的溶劑中。 溶解的銅原子則可能 再沉積在晶圓表面。 此外，粗糙的后側(cè)面比光滑的前側(cè)面更容易捕獲銅原子。 如果背面表面沒(méi)有SiO2膜，用稀HF進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光清洗后，不能去除背面表面的Cu。 提出了一種優(yōu)化的單片自旋腐蝕工藝。 以HF、HNO3、H2SO4、H3PO4的配比為0.5:3:1:0.5時(shí)，蝕刻劑性能最佳。 實(shí)驗(yàn)表明，在很短的時(shí)間內(nèi)，10 s的后側(cè)清洗可以完全去除后側(cè)表面、斜面和2mm隔離區(qū)的銅。 提出了一種“晶圓漂移”方法，解決了由于蝕刻殘余而導(dǎo)致的邊緣引腳附近的針痕問(wèn)題。 優(yōu)化后的清洗工藝比以往報(bào)道的清洗工藝時(shí)間更短，清洗效率更高。 隨著集成電路處理技術(shù)的進(jìn)步，特征尺寸不斷縮小。 由于器件性能和電路密度的提高而縮短。 通道長(zhǎng)度和更小的器件幾何形狀，由于金屬線更細(xì)更長(zhǎng)和它們之間的空間更窄，多電平互連的電阻和電容都增加了。 銅(Cop- per, Cu)因其低電性而被認(rèn)為是鋁互連材料中最合適的替代材料...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料 各向同性和各向異性：當(dāng)材料受到液體或蒸汽蝕刻劑的侵蝕時(shí)，它會(huì)被各向同性（在所有方向上均勻）或各向異性蝕刻（在垂直方向上均勻）去除。各向同性蝕刻和各向異性蝕刻之間的區(qū)別如圖 1 所示。濕蝕刻的材料去除速率通常比許多干蝕刻工藝的速率快，并且很容易通過(guò)改變溫度或活性物質(zhì)的濃度來(lái)改變。 濕蝕刻同義詞： 化學(xué)蝕刻、液體蝕刻 定義：濕蝕刻是一種材料去除工藝，它使用液體化學(xué)品或蝕刻劑從晶片上去除材料。特定的圖案由晶圓上的掩模定義。不受掩模保護(hù)的材料會(huì)被液體化學(xué)品蝕刻掉。在先前的制造步驟中使用光刻在晶片上沉積和圖案化這些掩模。[2] 濕法蝕刻工藝涉及消耗原始反應(yīng)物并產(chǎn)生新反應(yīng)物的多個(gè)化學(xué)反應(yīng)。濕蝕刻工藝可以通過(guò)三個(gè)基本步驟來(lái)描述。(1) 液體蝕刻劑擴(kuò)散到要去除的結(jié)構(gòu)。(2)液體蝕刻劑與被蝕刻掉的材料之間的反應(yīng)。通常會(huì)發(fā)生還原氧化（氧化還原）反應(yīng)。該反應(yīng)需要材料的氧化，然后溶解氧化的材料。(3)反應(yīng)中副產(chǎn)物從反應(yīng)表面擴(kuò)散。 各向異性濕蝕刻 略 各向同性濕法蝕刻： 略 干蝕刻： 略同義詞：等離子蝕刻、氣體蝕刻、物理干蝕刻、化學(xué)干蝕刻、物理化學(xué)蝕刻反應(yīng)離子蝕刻： 略 ...
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