掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料殘留物清除 殘留物去除通常發(fā)生在蝕刻或注入步驟之后。由于光致抗蝕劑是一種含有長(zhǎng)鏈聚合物的有機(jī)材料，當(dāng)沒有其他物質(zhì)存在時(shí)，氧化很容易，聚合物從表面的去除也就完成了。然而，當(dāng)存在來(lái)自先前處理的殘留物時(shí)，必須在晶片被送至下一步驟之前將其去除。殘?jiān)コ碾y度取決于之前的處理；抗蝕劑的烘焙通過耗盡溶劑使其硬化，紫外(UV)曝光使抗蝕劑交聯(lián)(參考)，蝕刻耗盡抗蝕劑的溶劑并蝕刻抗蝕劑，同時(shí)在表面上沉積聚合物(參考)，離子注入使抗蝕劑交聯(lián)并脫氫，在抗蝕劑的外表面附近產(chǎn)生“外殼”。殘余物必須被去除，并且通常與光致抗蝕劑掩模的等離子體剝離相結(jié)合。殘余物既含有有機(jī)(通常含氟)材料，也含有無(wú)機(jī)(通常含硅)材料。例如，在蝕刻?hào)艠O疊層之后，除了保留在蝕刻區(qū)域中的不想要的柵極氧化物之外，通常使用一系列SPM和HF來(lái)去除蝕刻和剝離殘留物。 預(yù)氧化清洗由于在器件制造區(qū)域發(fā)現(xiàn)的大氣污染，有機(jī)薄膜薄層存在于晶片表面。有機(jī)蒸汽會(huì)從聚合物部件中釋放出來(lái)，例如晶片載體和建筑材料。雖然這些污染水平很低，但是晶片接受的處理對(duì)這些低水平很敏感，例如，在熱處理之前必須清潔表面。在許多制造領(lǐng)域，SPM清洗步驟是RCA預(yù)熱清洗過程的一部分。 SPM后沖洗和干燥 粘性SPM很難從晶圓表面去除，需要大量沖洗。表面的吸濕硫殘留物會(huì)吸收水分并產(chǎn)生顆粒缺陷。有效的沖洗對(duì)于防...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料介紹硫酸(H2SO4)和過氧化氫(H2O2)混合物(SPM)用于各種濕法清洗工藝步驟。下表中顯示了SPM的一些常見清潔和表面處理順序: 清潔步驟化學(xué)藥品典型序列光刻膠剝離抗蝕劑剝離后清洗H2SO4:H2O2H2SO4:H2O2SPMSPM抗蝕劑剝離后清洗殘留物清除H2SO4 : H2O2NH4OH:H2O2:H2OSPMSC-1殘留物清除高頻:H2OH2SO4:H2O2NH4OH:H2O2:H2ODHFSPMSC-1殘留物清除H2SO4:H2O2NH4OH:H2O2:H2OHF:NH4F:H2OSPMSC-1NOE預(yù)氧化清洗H2SO4:H2O2高頻:H2ONH4OH:H2O2:H2O鹽酸:H2O2:H2OSPMDHFSC-1SC-2 抗蝕劑剝離和抗蝕劑剝離后清潔抗蝕劑剝離包括去除應(yīng)用于晶片的所有光致抗蝕劑，用于光刻描繪步驟。剝離步驟可以在接受反應(yīng)離子蝕刻(RIE)工藝、濕法蝕刻工藝、離子注入工藝或金屬沉積剝離工藝之后進(jìn)行。正性光致抗蝕劑通常由酚醛清漆或磷(苯基氧基苯乙烯)樹脂與光活性化合物組成，溶劑用于制造粘性液體，該液體在晶片表面上旋轉(zhuǎn)，而負(fù)性光致抗蝕劑通常由聚甲基丙烯酸甲酯(聚甲基丙烯酸甲酯)(參考)組成，具有類似于正光致抗蝕劑的添加劑。這些化合物由碳?xì)浠衔锝M成，還有其他元素，或者作為樹脂或添加劑分子的一部分，或者作為雜質(zhì)...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料今天，硅晶片有多種用途，尤其是隨著我們作為一個(gè)技術(shù)世界不斷發(fā)展，但有不同類型的晶片和晶片工藝可以滿足特定產(chǎn)品的 特殊需求。例如，雙面拋光晶片在尺寸至關(guān)重要的情況下非常有用。為什么要拋光晶圓？ 晶圓拋光已成為晶圓制造過程中非常重要的一部分，因?yàn)榻陙?lái)對(duì)晶圓比以往任何時(shí)候都更薄的需求急劇增加。您最初可能會(huì)假設(shè)使物體更平坦會(huì)自動(dòng)使其更脆，但硅晶片不一定是這種情況。事實(shí)上，拋光可以使它們更堅(jiān)固，更靈活。這是由于去除了可以削弱硅的污染物。 在拋光完成之前 ， 由于 復(fù)雜的制造工藝，特別是晶片研磨方法，晶片的表面下通常會(huì)有一些 損壞 。 幸運(yùn)的是，這可以通過拋光輕松解決。無(wú)論是只關(guān)注一側(cè)還是兩側(cè)，質(zhì)量都會(huì)大大提高。 與其他晶圓相比有什么 不同？ 您會(huì)問，這些晶圓與其他晶圓究竟 有何不同？典型地，晶片只用一個(gè)拋光側(cè)上形成，但顧名思義，雙面拋光的晶片 有 完成在兩側(cè)上的過程中， 制作 更薄的晶片，真正需要使用的空間最小量的情況。 拋光晶圓的優(yōu)勢(shì) 雙面拋光晶片更 明顯的優(yōu)勢(shì)之一是增加了平...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料與普通硅相比，碳化硅可以承受更高的電壓，因此，碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開關(guān)，從而提供了簡(jiǎn)化和可靠的系統(tǒng)布局。 隨著新行業(yè)和產(chǎn)品采用電子和半導(dǎo)體，設(shè)計(jì)師和制造商正在尋找改進(jìn)和更智能的方法來(lái)構(gòu)建這此關(guān)鍵元素。碳化硅(SiC)半導(dǎo)體不同于普通的硅半導(dǎo)體。當(dāng)使用動(dòng)力電子設(shè)備和電力系統(tǒng)時(shí)，它表現(xiàn)出有限的導(dǎo)熱性、在某些應(yīng)用中難以改變頻率、低帶隙能量以及更多的功率損耗然而，它也有好處。以下是碳化硅供電半導(dǎo)體的兩大優(yōu)勢(shì): 1.碳化硅可以在更高的溫度下運(yùn)行全球?qū)﹄娮赢a(chǎn)品日益增長(zhǎng)的需求推動(dòng)了對(duì)不同類型設(shè)備在不斷變化或惡劣的條件(如更高的溫度)下運(yùn)行的需求。碳化硅半導(dǎo)體可以在200“℃或更高的溫度下工作，因?yàn)槠鋵?dǎo)熱性比標(biāo)準(zhǔn)硅好三倍。但應(yīng)該理解的是，大多數(shù)商業(yè)級(jí)半導(dǎo)體的推薦溫度額定值為 175C。更高的額定溫度可最大限度地降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，增強(qiáng)可靠性，并降低制造商的成本。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員可以在Sic半導(dǎo)體的幫助下使用越來(lái)越少的電容器和存儲(chǔ)電感器，從而降低電氣系統(tǒng)的總體成本。 2.碳化硅可以承受更高的電壓與普通硅相比，碳化硅可以承受更高的電壓，因此碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開關(guān)...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料當(dāng)今半導(dǎo)體制造中最熱門的趨勢(shì)之一是晶圓級(jí)封裝 (WLP)。根據(jù)Allied Market Research 的數(shù)據(jù)，到 2022 年，全球 WLP 市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到 78 億美元，2016 年至 2022 年的復(fù)合年增長(zhǎng)率 (CAGR) 為 21.5%。廣義上講，WLP 包含不同的集成方法，例如扇入和扇出，以及從 2D 和 2.5D 到 3D IC 甚至納米 WLP 的一系列封裝類型。它還包括互連工藝，如凸塊、硅通孔 (TSV) 和混合鍵合。WLP 是異構(gòu)集成 (HI) 的基石，這是半導(dǎo)體制造的另一個(gè)主要趨勢(shì)。許多人認(rèn)為 HI 是在功率、性能、面積和成本 (PPAC) 方面擴(kuò)展摩爾定律的途徑。HI 包括晶圓級(jí)系統(tǒng)級(jí)封裝 (SiP) 架構(gòu)、2.5 內(nèi)插器、3D 集成電路 (IC) 堆棧，以及最近的小芯片架構(gòu)。是什么推動(dòng)了半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的 WLP 趨勢(shì)？ 正如大流行向我們展示的那樣，世界比以往任何時(shí)候都更加依賴數(shù)字技術(shù)。不僅如此，我們還希望能夠通過手掌來(lái)管理我們的生活。我們使用移動(dòng)設(shè)備進(jìn)行通信、開展業(yè)務(wù)、購(gòu)物、監(jiān)控我們的健康和我們的家庭等等。異構(gòu)集成 WLP 使將 5G、人工智能 (AI)、內(nèi)存、電源、傳感器等打包到這些工具中成為可能。 這推動(dòng)了...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料有許多晶片清潔技術(shù)或步驟用于確保半導(dǎo)體晶片在經(jīng)歷晶片制造過程時(shí)始終沒有污染物和異物。不同的污染物具有不同的特性，因此對(duì)從晶片上去除的要求也不同。以下是晶圓清洗常用方法的一些示例。 光刻膠剝離，或簡(jiǎn)稱“光刻膠剝離”，是從晶片上去除不需要的光刻膠層。其目的是盡快從晶片上去除光刻膠材料，而不會(huì)讓光刻膠下的任何表面材料受到所用化學(xué)品的侵蝕?？刮g劑剝離可分為：1）有機(jī)剝離；2)無(wú)機(jī)剝離；3) 干法剝離。 有機(jī)剝離 使用有機(jī)剝離劑，有機(jī)剝離劑是破壞抗蝕劑層結(jié)構(gòu)的化學(xué)品。最廣泛使用的市售有機(jī)汽提劑曾經(jīng)是苯酚基有機(jī)汽提劑，但它們的適用期短和苯酚處理困難，使得低酚或無(wú)酚有機(jī)汽提劑成為當(dāng)今更受歡迎的選擇。 濕式無(wú)機(jī)剝離劑，也稱為氧化型剝離劑，用于 無(wú)機(jī)剝離，通常用于去除非金屬化晶圓上的光刻膠，以及后烘烤和其他難以去除的抗蝕劑。無(wú)機(jī)汽提劑是硫酸和氧化劑（如過硫酸銨）的溶液，加熱至約 125 攝氏度。干法剝離 涉及使用等離子蝕刻設(shè)備通過干法蝕刻去除光刻膠。與使用有機(jī)或無(wú)機(jī)剝離劑進(jìn)行濕法蝕刻相比，它的優(yōu)勢(shì)包括更好的安全性、無(wú)金屬離子污染、減少污染問題以及更不易附著在下面的基板層。 化學(xué)去除薄膜污染物，污染材料的...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料EUV光刻技術(shù)為半導(dǎo)體制造商提供一個(gè)前所未有的速度開發(fā)最強(qiáng)大芯片的機(jī)會(huì)?，F(xiàn)在半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)經(jīng)歷了大規(guī)模的改造，這可以歸因于技術(shù)的演進(jìn)和熱情，以滿足不斷增加的市場(chǎng)預(yù)期。傳統(tǒng)上，芯片制造商依賴于在每個(gè)芯片的表面添加更多的晶體管。在當(dāng)今時(shí)代，實(shí)現(xiàn)這種發(fā)展變得越來(lái)越具有挑戰(zhàn)性。制造商正在關(guān)注稱為極紫外(EUV) 光刻的先進(jìn)制造技術(shù)。EUV光刻可用于制造比以前更小規(guī)模的芯片。該技術(shù)可以導(dǎo)致微處理器的發(fā)展，其速度比目前最強(qiáng)大的芯片快十倍。EUV光刻的本質(zhì)也可以歸因于當(dāng)前芯片印刷技術(shù)的物理限制。EUV光刻技術(shù)可以使制造商打印寬度為01微米的電路，相當(dāng)于人類頭發(fā)寬度的1/1000。EUV光刻利用波長(zhǎng)非常短的光來(lái)更快、更準(zhǔn)確地生成精細(xì)圖案。該技術(shù)可以生產(chǎn)更小尺寸的晶體管，使處理器和其他電子設(shè)備更強(qiáng)大、更便宜、更節(jié)能。EUV光刻的兩個(gè)關(guān)鍵市場(chǎng)包括用于智能手機(jī)和服務(wù)器的處理器，其中尺寸、功率和效率是必不可少的因素。盡管 EUV光刻技術(shù)前景廣闊，但這項(xiàng)技術(shù)的普及仍有一些障礙。其中之一是需要大功率光源，這是照亮光刻膠所必需的。然而，世界領(lǐng)先的公司正在投資這項(xiàng)技術(shù)。許多公司正在投資研發(fā)，以實(shí)現(xiàn) EUV技術(shù)的更大進(jìn)步。此類投資肯定會(huì)在未來(lái)提高半導(dǎo)體和電子產(chǎn)品的運(yùn)營(yíng)效率。 注意:此處包含的信息、建議和意見僅供參考，僅供您考慮，查詢和驗(yàn)證，不以任何方式 保證任何材料在特定...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料摘要半導(dǎo)體晶片在從裸硅晶片轉(zhuǎn)變?yōu)檠b有數(shù)百萬(wàn)個(gè)晶體管電路的晶片之前，要經(jīng)過多種工藝。此類工藝包括物理或化學(xué)氣相沉積（PVD、CVD）、化學(xué)機(jī)械平面化 (CMP)、等離子蝕刻、快速熱處理 (RTP) 和光刻。隨著特征尺寸不斷縮小，過程控制在這些過程中的每一個(gè)中都扮演著越來(lái)越重要的角色?；谀Ｐ偷目刂品椒ㄊ菫橄冗M(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備設(shè)計(jì)商業(yè)控制器的有效手段。我們將概述先進(jìn)控制在半導(dǎo)體行業(yè)中的應(yīng)用。根據(jù)我們的經(jīng)驗(yàn)，控制設(shè)計(jì)的最佳模型大量借鑒了過程的物理學(xué)。這些模型用于特定控制應(yīng)用的方式取決于性能目標(biāo)。在某些情況下，例如 RTP 和光刻，閉環(huán)控制完全取決于系統(tǒng)具有非常好的物理模型。對(duì)于 CMP 等其他過程，物理模型必須與經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ徒Y(jié)合或完全是經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ?。所得的多變量控制器可以是原位前饋反饋或逐次運(yùn)行控制器，或其組合。本文中介紹的三個(gè)案例研究（RTP、CMP 和光刻）代表了先進(jìn)控制在半導(dǎo)體行業(yè)的前沿應(yīng)用。對(duì)于 CMP 等其他過程，物理模型必須與經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ徒Y(jié)合或完全是經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ?。所得的多變量控制器可以是原位前饋反饋或逐次運(yùn)行控制器，或其組合。本文中介紹的三個(gè)案例研究（RTP、CMP 和光刻）代表了先進(jìn)控制在半導(dǎo)體行業(yè)的前沿應(yīng)用。對(duì)于 CMP 等其他過程，物理模型必須與經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ徒Y(jié)合或完全是經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ?。所得的多變量控制器可以是原位前饋反饋或逐次運(yùn)行控制器，或其組合。本文中介紹的三個(gè)案例...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料 硅基電子元件的開發(fā)與生產(chǎn)要求材料在所有階段的化學(xué)表征，從原材料，最后是成品。分析工作包括測(cè)定兩者的體積濃度和空間分布雜質(zhì)和攙雜劑的厚度和成分的測(cè)定沉積在硅等上的薄膜?，F(xiàn)代要求的高可靠性半導(dǎo)體產(chǎn)品需要廣泛的控制程序。經(jīng)常必須測(cè)定極低濃度的雜質(zhì)。因此低檢測(cè)限和污染自由度是該標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵要求分析工作。需要和使用許多不同的分析技術(shù)。在這幾種核分析技術(shù)是很重要的。中子(NAA),帶電粒子活化分析(CPA)、核反應(yīng)分析(NRA)、瞬變伽馬活化分析(PGAA)和盧瑟福后向散射光譜學(xué)(RBS)是最常用的方法。所涉及的分析問題是困難的和質(zhì)量要求高。常是非核的定量校準(zhǔn)技術(shù)是很困難的。很少，如果有的話，參考資料是公正的分析方法的準(zhǔn)確性存在控制。該局與國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)局合作召開了會(huì)議這次顧問會(huì)議的目的如下。1. 概述分析化學(xué)的要求電子工業(yè)和所使用的分析技術(shù)。2. 探討核分析技術(shù)在這一領(lǐng)域的作用。3.討論國(guó)際組織質(zhì)量控制的必要性所用的分析方法。該報(bào)告包含三個(gè)報(bào)告討論分析的必要性硅電子化學(xué)，分析技術(shù)的應(yīng)用和分析標(biāo)準(zhǔn)，并對(duì)質(zhì)量需求的討論進(jìn)行總結(jié)報(bào)告控制。對(duì)分析化學(xué)的需求硅電子科技。摘要 對(duì)原材料質(zhì)量控制的分析和缺陷特性的廣泛需求討論了硅器件制造的材料、工藝和環(huán)...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料摘要在這項(xiàng)研究中，干膜光刻膠使用 UV 光刻進(jìn)行圖案化，并優(yōu)化側(cè)壁輪廓以實(shí)現(xiàn)垂直側(cè)壁。干膜的側(cè)壁垂直度對(duì)于更好的圖案轉(zhuǎn)移非常重要。部分因子設(shè)計(jì) (FFD) 方法用于確定側(cè)壁優(yōu)化的重要變量。重要的因素是曝光能量。其他因素在改善側(cè)壁垂直度方面不顯著。側(cè)壁角度范圍從 64 ± 5° 到 86 ± 5°。發(fā)現(xiàn)側(cè)壁斜率隨著曝光能量的降低而增加。光刻圖案化干膜的反應(yīng)離子蝕刻（RIE）在干膜掩模的制造中是必要的。使用 Ar 等離子體和 CF4-O2 等離子體進(jìn)行具有優(yōu)化側(cè)壁的干膜 RIE。全因子實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)用于確定影響過程的關(guān)鍵因素。氧氣流速和射頻功率是使用 CF4-O2 等離子體的干膜 RIE 的重要變量。蝕刻速率范圍從 ~150 nm/min 到 ~5000 nm/min。蝕刻速率隨著射頻功率和氧氣流速的增加而增加。發(fā)現(xiàn) RF 功率和時(shí)間對(duì) Ar 等離子體很重要。制造的具有幾乎垂直側(cè)壁的干膜模具用于電鍍銅和 Ti 剝離應(yīng)用。使用部分因子設(shè)計(jì)優(yōu)化電鍍工藝。正如預(yù)期的那樣，發(fā)現(xiàn)電流密度和電鍍時(shí)間很重要。與較高的電流密度相比，較低的電流密度導(dǎo)致更光滑、細(xì)粒度的沉積物。然而，鍍液pH值對(duì)干膜的影響還有待研究。具有增加側(cè)壁斜率的干膜模具在電鍍銅和 Ti 剝離方面表現(xiàn)出更好的圖案轉(zhuǎn)移。 介紹光刻膠光刻膠是一種用于微電子行業(yè)的...
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