純鈦及鈦合金的表面改性一直是研究的熱點(diǎn)。鈦表面陽(yáng)極氧化技術(shù)因其操作簡(jiǎn)單、臨床效果顯著，成為鈦表面改性的常用方法之一。目前研究多集中于通過(guò)鈦表面陽(yáng)極氧化以提高種植體-骨結(jié)合性能，增強(qiáng)抗菌性，種植修復(fù)體周?chē)纬闪己玫能浗M織封閉，或與其他表面改性方法結(jié)合以提高鈦生物活性等方面。微弧氧化是在陽(yáng)極氧化基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)，可明顯提高鈦表面生物活性。本文對(duì)鈦表面陽(yáng)極氧化參數(shù)及其在口腔種植中的應(yīng)用進(jìn)行分析。1.鈦的特性鈦為銀灰色金屬，因其在空氣中易被氧化形成1.8~17nm的氧化膜，具有良好的生物相容性及抗腐蝕性而廣泛應(yīng)用于口腔種植中。鈦表面化學(xué)元素組成、形貌、表面能均影響其生物相容性和活性。學(xué)者們一直致力于對(duì)鈦表面改性以提高其生物學(xué)性能，常用的方法包括：酸蝕處理法、陽(yáng)極氧化法、噴砂法、羥基磷灰石涂層法等。20世紀(jì)30年代出現(xiàn)的鈦表面陽(yáng)極氧化技術(shù)操作簡(jiǎn)單、成本較低、臨床效果明顯，成為常用的改性方法。微弧氧化因能明顯提高鈦表面的生物學(xué)性能而被廣泛應(yīng)用。2.陽(yáng)極氧化影響因素2.1電壓電壓是影響傳統(tǒng)陽(yáng)極氧化及微弧氧化的指標(biāo)之一。傳統(tǒng)陽(yáng)極氧化階段，隨電壓升高氧化膜厚度隨之增加，且氧化膜厚度與電壓成線性關(guān)系，增長(zhǎng)速度為1.4~2.78nm/V。此氧化膜為透明膜，可發(fā)生光的干涉現(xiàn)象，使鈦表面呈現(xiàn)不同顏色。因此可通過(guò)氧化膜的顏色評(píng)定氧化膜厚度。當(dāng)氧化膜達(dá)到一定厚度時(shí)，繼續(xù)增加電壓，鈦表面發(fā)生介質(zhì)擊穿現(xiàn)象，此時(shí)傳統(tǒng)陽(yáng)...
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氮(氧)化硅濕法刻蝕后清洗方式的改進(jìn)摘要：在半導(dǎo)體制造工藝的濕法刻蝕中，用熱磷酸刻蝕氮化硅和氮氧化硅是其中一個(gè)相對(duì)復(fù)雜又難以控制的工藝。在這個(gè)工藝中，熱磷酸刻蝕后的去離子水（ＤＩＷ）清洗更是一個(gè)非常重要的步驟。主要分析了由于去離子水清洗不當(dāng)造成的表面缺陷的形成機(jī)理，并通過(guò)合理的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)和分析，給出了具體的解決方案。關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體制造；氮化硅；濕法刻蝕；濕法清洗；１引言熱磷酸濕法刻蝕已經(jīng)在半導(dǎo)體制造工藝中應(yīng)用了幾十年了。由于熱磷酸對(duì)氮化硅和氮氧化硅刻蝕具有良好的均勻性和較高的選擇比，一直到了９０ｎｍ的最先進(jìn)制程也是采用熱磷酸來(lái)刻蝕氮化硅與氮氧化硅。常用的熱磷酸刻蝕液是由８５％濃磷酸和１５％去離子水（ＤＩＷ）配合而成，并保持在１６０℃的溫度下進(jìn)行刻蝕。熱磷酸刻蝕之后的芯片一般采用熱去離子水清洗。當(dāng)芯片從１６０℃的磷酸槽進(jìn)入水槽時(shí)，芯片表面殘余磷酸的粘度極劇增加，并且形成一層帶有磷酸和副產(chǎn)物的薄層緊貼于芯片表面。如果不將這層殘余物質(zhì)清洗干凈，將嚴(yán)重影響芯片的后續(xù)制程，造成芯片成品率的損失和可靠性問(wèn)題。所以熱磷酸后清洗比其他酸液（如ＳＣ２，ＳＰＭ，ＨＦ等易去除的試劑）之后的清洗更關(guān)鍵，也更具有挑戰(zhàn)性［１］。２清洗缺陷產(chǎn)生機(jī)理分析隨著工藝尺寸的逐漸縮小，定義和刻蝕精準(zhǔn)的多晶硅線條變得越來(lái)越困難。工業(yè)界常采用在多晶硅表面覆蓋一層由化學(xué)汽相沉積的氮氧化硅（ＳｉＯＮ）來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題。在定義多晶硅線...
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一. 硅片的化學(xué)清洗工藝原理 硅片經(jīng)過(guò)不同工序加工后，其表面已受到嚴(yán)重沾污，一般講硅片表面沾污大致可分在三類(lèi)： A. 有機(jī)雜質(zhì)沾污： 可通過(guò)有機(jī)試劑的溶解作用，結(jié)合超聲波清洗技術(shù)來(lái)去除?！ . 顆粒沾污：運(yùn)用物理的方法可采機(jī)械擦洗或超聲波清洗技術(shù)來(lái)去除粒徑 ≥ 0.4 μm顆粒，利用兆聲波可去除 ≥ 0.2 μm顆粒?！ . 金屬離子沾污：必須采用化學(xué)的方法才能清洗其沾污，硅片表面金屬雜質(zhì)沾污有兩大類(lèi)： a. 一類(lèi)是沾污離子或原子通過(guò)吸附分散附著在硅片表面?！ . 另一類(lèi)是帶正電的金屬離子得到電子后面附著（尤如“電鍍”）到硅片表面?！ 」钂伖馄幕瘜W(xué)清洗目的就在于要去除這種沾污，一般可按下述辦法進(jìn)行清洗去除沾污。 a. 使用強(qiáng)氧化劑使“電鍍”附著到硅表面的金屬離子、氧化成金屬，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面?！ . 用無(wú)害的小直徑強(qiáng)正離子（如H+）來(lái)替代吸附在硅片表面的金屬離子，使之溶解于清洗液中?！ . 用大量去離水進(jìn)行超聲波清洗，以排除溶液中的金屬離子。 自1970年美國(guó)RCA實(shí)驗(yàn)室提出的浸泡式RCA化學(xué)清洗工藝得到了廣泛應(yīng)用，1978年RCA實(shí)驗(yàn)室又推出兆聲清洗工藝，近幾年來(lái)以RCA清洗理論為基礎(chǔ)的各種清洗技術(shù)不斷被開(kāi)發(fā)出來(lái)，例如 ： ?、?美國(guó)FSI公司推出離心噴淋式化學(xué)清洗技術(shù)?！ 、?美國(guó)原CFM公司推出的Full-Flow systems...
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超聲清洗的物理機(jī)制主要是超聲空化，所以要達(dá)到良好的清洗效果必須選擇適當(dāng)?shù)穆晫W(xué)參數(shù)和清洗劑的物理化學(xué)性質(zhì)?！ ÷晱?qiáng)。聲強(qiáng)愈高，空化愈強(qiáng)烈。但聲強(qiáng)達(dá)到一定值后，空化趨于飽和。聲強(qiáng)過(guò)大會(huì)產(chǎn)生大量氣泡增加散射衰減，同時(shí)聲強(qiáng)增大會(huì)增加非線性衰減，而減弱遠(yuǎn)離聲源地方的清洗效果?！ ☆l率。頻率越高空化閾愈高，也就是說(shuō)要產(chǎn)生聲空化，頻率愈高，所需要的聲強(qiáng)愈大。例如在水中要產(chǎn)生空化，在400kHz時(shí)所需要的功率要比在10kHz時(shí)大10倍。一般采用的頻率范圍是20—40kHz。低頻空化強(qiáng)度高，適用于大清洗件表面及污物與清洗件表面結(jié)合強(qiáng)度高的場(chǎng)合，但不易穿透深孔和表面形狀復(fù)雜的部件，且噪聲大；較高頻率雖然空化強(qiáng)度較弱，但噪聲小，適用于較復(fù)雜表面形狀、狹縫及污物與清洗件表面結(jié)合力弱的清洗。聲場(chǎng)分布。穩(wěn)定的混響場(chǎng)對(duì)清洗有利，如果清洗槽中有駐波聲場(chǎng)，則因聲壓分布不均勻，清洗件得不到均勻的清洗。因此，在可能的條件下，槽的幾何形狀要選擇適合于建立混合聲場(chǎng)的形狀。除此以外，可以采用雙頻、多頻和掃頻工作方式以避免清洗“死區(qū)”。 清洗液的溫度。溫度升高液體的表面張力系數(shù)和粘滯系數(shù)會(huì)下降，因而空化閾值下降，使空化易于產(chǎn)生；但由于溫升，蒸汽壓增大會(huì)降低空化強(qiáng)度。水的較佳溫度為60攝氏度，不同的清洗劑有不同的最佳溫度?！ ≌硿禂?shù)。粘滯系數(shù)大的液體難于產(chǎn)生空化，而且傳播損失也加大，不利于清洗?！ ≌羝麎骸Ｕ羝麎旱?，空化閾高...
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稀釋酸清洗工藝是在200mm和300mm晶圓的兩套不同的FSI ZETA?/SUP噴霧清洗系統(tǒng)上進(jìn)行的。200mm系統(tǒng)如圖1所示。在PFA處理盒里，晶圓必須保持水平。200mm系統(tǒng)可處理4籃晶圓，每籃25片，而300mm系統(tǒng)可處理2籃，每籃25片?；@子放置在旋轉(zhuǎn)速度高達(dá)500rpm的PFA轉(zhuǎn)盤(pán)上。旋轉(zhuǎn)的晶圓籃放在有密封塞的氮?dú)鈨艋粌?nèi)?；瘜W(xué)試劑，清洗水和氮?dú)庥筛皆谇簧w的中心噴灑柱噴出，液體從邊上的噴灑柱噴向凈化腔的墻壁?；瘜W(xué)試劑使用混合分管進(jìn)行混合和稀釋?；旌媳壤晒に嚺浞酱_定，并由精確的流程控制器進(jìn)行嚴(yán)格控制。 使用IR發(fā)熱器來(lái)控制試劑噴進(jìn)腔前的溫度。試劑流經(jīng)晶圓表面的溫度由安裝在腔內(nèi)的溫度計(jì)嚴(yán)格監(jiān)視。這種測(cè)量法可使工藝最優(yōu)化，或者在精密的刻蝕應(yīng)用中，可用來(lái)控制刻蝕時(shí)間以取得所需的刻蝕成度。本文中，我們用稀釋的H2SO4, H2O2和HF混合物來(lái)去除鋁線條（M1和M2），氧化層通孔及鍵合焊盤(pán)窗口的殘留物。在所有情況下，無(wú)需進(jìn)行主動(dòng)的溫度控制就可以取得良好效果?；瘜W(xué)試劑在混合后溫度達(dá)35℃, 在霧化發(fā)送進(jìn)腔內(nèi)的過(guò)程中降溫. 晶圓表面溫度經(jīng)過(guò)3分鐘的處理，慢慢地從室溫升至25℃左右。在M1和M2的清洗中，我們也檢測(cè)了在處理晶圓前先把混合物冷卻至25℃，如下所述。表1列示出用于本操作中的噴霧時(shí)間范圍，試劑的溫度及濃度的范圍。M1金屬疊層包括一個(gè)位于Al-Cu-Si合金下的 T...
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藍(lán)寶石晶片的凈化包括清洗方式、清洗劑的配方、清洗設(shè)備、清洗環(huán)境和清洗工藝。清洗方式主要分為濕式清洗和干式清洗, 目前濕式清洗在藍(lán)寶石晶片表面凈化中仍處于主導(dǎo)地位。下面主要就藍(lán)寶石晶片的濕式清洗的清洗劑性質(zhì)、清洗設(shè)備、清洗環(huán)境分別闡述。 清洗劑的性質(zhì) 清洗劑的去污能力, 對(duì)濕式清洗的清洗效果有決定性的影響, 根據(jù)藍(lán)寶石晶片清洗目的和要求, 選擇適當(dāng)?shù)那逑磩┦菨袷角逑吹氖滓襟E。藍(lán)寶石晶片清洗中常用的化學(xué)試劑和洗液主要有無(wú)機(jī)酸、氧化劑、絡(luò)合劑、雙氧水溶劑、有機(jī)溶劑、合成洗滌劑、電子清洗劑等七大類(lèi)清洗設(shè)備 ●超聲波清洗機(jī) 超聲波清洗機(jī)是微電子工業(yè)中廣泛應(yīng)用的一種清洗設(shè)備, 超聲波的清洗原理是: 在強(qiáng)烈的超聲波作用下(常用的超聲波頻率為20-40kHz), 清洗劑內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生疏部和密部, 疏部產(chǎn)生近乎真空的空穴, 當(dāng)空穴消失的瞬間, 其附近便產(chǎn)生強(qiáng)大的局部壓力, 使分子內(nèi)的化學(xué)鍵斷裂, 從而使藍(lán)寶石晶片表面的雜質(zhì)解吸。當(dāng)超聲波的頻率和空穴的振動(dòng)頻率共振時(shí),...
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１ 引言 目前，半導(dǎo)體行業(yè)中廣泛使用的清洗方法仍是ＲＣＡ（美國(guó)無(wú)線電公司）清洗法。但在向下一代６５ｎｍ節(jié)點(diǎn)的邁進(jìn)中，新結(jié)構(gòu)的納米器件對(duì)于清洗設(shè)備不斷提出了新的挑戰(zhàn)，因而對(duì)硅片表面各種污染物的控制規(guī)定了納米微粒去除的特殊要求。根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖計(jì)劃，當(dāng)半導(dǎo)體器件從９０ｎｍ提升到６５ｎｍ工藝時(shí)，必須將清洗過(guò)程中單晶硅和氧化硅的損失量從０.１ｎｍ減小到０.０５ｎｍ［１］。 這就對(duì)新一代清洗設(shè)備和清洗技術(shù)提出了無(wú)損傷和抑制腐蝕的新工藝要求，所以研發(fā)新穎的、合適的硅片表面的納米微粒清洗技術(shù)勢(shì)在必行。２ 傳統(tǒng)的硅片濕法清洗和干法清洗技術(shù)２.１ 污染物雜質(zhì)的分類(lèi) 根據(jù)污染物產(chǎn)生的原因，大致可將它們分為顆粒、有機(jī)物雜質(zhì)、金屬污染物三類(lèi)。 （１）顆粒：主要是一些聚合物、光致抗蝕劑等。顆粒的存在會(huì)造成ＩＣ芯片短路或大大降低芯片的測(cè)試性能［２］。 （２）有機(jī)物雜質(zhì)：它在硅片上以多種方式存在，如人的皮膚油脂、防銹油、潤(rùn)滑油、松香、蠟等。這些物...
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硅片經(jīng)過(guò)不同工序加工后，其表面已受到嚴(yán)重沾污，一般講硅片表面沾污大致可分在三類(lèi)： A. 有機(jī)雜質(zhì)沾污： 可通過(guò)有機(jī)試劑的溶解作用，結(jié)合超聲波清洗技術(shù)來(lái)去除。 B. 顆粒沾污：運(yùn)用物理的方法可采機(jī)械擦洗或超聲波清洗技術(shù)來(lái)去除粒徑 ≥ 0.4 μm顆粒，利用兆聲波可去除 ≥ 0.2 μm顆粒。 C. 金屬離子沾污：必須采用化學(xué)的方法才能清洗其沾污。 硅片表面金屬雜質(zhì)沾污有兩大類(lèi)：一類(lèi)是沾污離子或原子通過(guò)吸附分散附著在硅片表面。 另一類(lèi)是帶正電的金屬離子得到電子后面附著（尤如“電鍍”）到硅片表面。 硅拋光片的化學(xué)清洗目的就在于要去除這種沾污，一般可按下述辦法進(jìn)行清洗去除沾污。 ...
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硅片的表面受到比較嚴(yán)重的污染，這時(shí)候可以考慮使用如下幾種化學(xué)清洗方法進(jìn)行清潔： a.使用強(qiáng)氧化劑使“電鍍”附著到硅表面的金屬離子、氧化成金屬，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。 b.用無(wú)害的小直徑強(qiáng)正離子(如H+)來(lái)替代吸附在硅片表面的金屬離子，使之溶解于清洗液中。 c.用大量去離水進(jìn)行超聲波清洗，以排除溶液中的金屬離子。自1970年美國(guó)RCA實(shí)驗(yàn)室提出的浸泡式RCA化學(xué)清洗工藝得到了廣泛應(yīng)用，1978年RCA實(shí)驗(yàn)室又推出兆聲清洗工藝，近幾年來(lái)以RCA清洗理論為基礎(chǔ)的各種清洗技術(shù)不斷被開(kāi)發(fā)出來(lái)，例如： ⑴美國(guó)FSI公司推出離心噴淋式化學(xué)清洗技術(shù)。 ⑵美國(guó)原CFM公司推出的Full-Flowsystems封閉式溢流型清洗技術(shù)。 ⑶美國(guó)VERTEQ公司推出的介于浸泡與封閉式之間的化學(xué)清洗技術(shù)(例GoldfingerMach2清洗系統(tǒng))。 &#...
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摘要：研究了一種新穎的添加了表面活性劑和HF的RCA的改進(jìn)工藝，并和標(biāo)準(zhǔn)RCA工藝與目前被廣泛采用的稀釋RCA工藝進(jìn)行了比較后指出，改進(jìn)工藝對(duì)金屬沾污和表面顆粒的有效去除能力，使0.18mm以上的顆粒能夠控制在15顆以?xún)?nèi)，金屬沾污能夠有效降至109原子cm-2以下（Al略高小于1010cm-2）。1 引言 目前在半導(dǎo)體工業(yè)生產(chǎn)中，普遍采用的清洗工藝是改進(jìn)的RCA清洗技術(shù)，多年來(lái)，人們對(duì)RCA清洗技術(shù)的清洗效果進(jìn)行了深入的研究，kern證明RCA工藝可在硅片的表面形成1～1.5nm的氧化硅鈍化膜[1]，okumura觀察到標(biāo)準(zhǔn)的RCA清洗對(duì)硅片表面有較嚴(yán)重的粗糙化作用[2]，研究人員一直沒(méi)有放棄取代技術(shù)的研究。1994年，山東大學(xué)發(fā)明了可以與標(biāo)準(zhǔn)RCA工藝相媲美的新型清洗技術(shù)[3]，采用了DGQ-1和DGQ-2新型清洗劑，近年來(lái)也被廣泛采用。本文主要討論了添加表面活性劑和HF的RCA改進(jìn)清洗技術(shù)對(duì)拋光片金屬沾污和表面顆粒的影響。2 實(shí)驗(yàn)方法 分別采用φ150mm，p(100)，8～11Ω·cm；φ125mm，p（111），3～5Ω·cm；φ100mm，n（100），0.0012～0.0015Ω·cm；φ100mm...
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