掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料 摘要 對(duì)幾種氮化鎵蝕刻技術(shù)進(jìn)行了綜述和比較。本實(shí)驗(yàn)選用了氮化鎵二元蝕刻技術(shù)，用Dektak輪廓儀和AFM測(cè)量了蝕刻后的氮化鎵輪廓。三種類型的氮化鎵薄膜，如本征氮化鎵、n型氮化鎵和p型氮化鎵薄膜。關(guān)鍵詞:氮化鎵，氮化物，二元蝕刻，輪廓儀，原子力顯微鏡介紹 氮化鎵作為一種寬禁帶III-V化合物半導(dǎo)體近年來(lái)得到了廣泛的研究。高性能GaN het和MOSFET都已經(jīng)被證明。氮化鎵處理技術(shù)是實(shí)現(xiàn)氮化鎵基器件良好性能的關(guān)鍵。大多數(shù)氮化鎵的蝕刻采用等離子體蝕刻，存在易產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得光滑的蝕刻側(cè)壁等缺點(diǎn)。 圖1所示 幾種蝕刻技術(shù)的蝕刻速率 圖2 用幾種蝕刻技術(shù)蝕刻后的氮化鎵表面粗糙度 文章全部詳情，請(qǐng)加華林科納V了解：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
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掃碼添加微信，獲取更多濕法相關(guān)資料摘要 在許多半導(dǎo)體器件的制造中，硅是最有趣和最有用的半導(dǎo)體材料。 在半導(dǎo)體器件制造中，各種加工步驟可分為四大類，即沉積、去除、圖形化和電性能的修改。 在每一步中，晶片清洗都是開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體電子器件的首要和基本步驟。 清洗過(guò)程是在不改變或損壞晶圓表面或基片的情況下去除化學(xué)物質(zhì)和顆粒雜質(zhì)。 關(guān)鍵詞:半導(dǎo)體制造，硅片，硅片清洗，潔凈室。介紹 半導(dǎo)體是一種固體物質(zhì)，其導(dǎo)電性介于絕緣體和導(dǎo)體之間。 半導(dǎo)體材料的定義性質(zhì)是，它可以摻雜雜質(zhì)，以可控的方式改變其電子性質(zhì)。 硅是開(kāi)發(fā)微電子器件最常用的半導(dǎo)體材料。 半導(dǎo)體器件制造是用來(lái)制造集成電路的過(guò)程，這些集成電路存在于日常的電氣和電子設(shè)備中。 在半導(dǎo)體器件制造中，各種加工步驟可分為四大類，如沉積、去除、刻劃 。硅片清洗程序 RCA清洗 RCA清洗是去除硅片中的有機(jī)物、重金屬和堿離子的“標(biāo)準(zhǔn)工藝”。 這里用超聲波攪拌去除顆粒。 圖2討論了RCA清洗方法。 第一步，硫酸和雙氧水的比例為1:1 - 1:4。 晶圓在100...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料蝕刻后 沖洗對(duì)于濕浸處理中的所有化學(xué)步驟，晶片必須在處理后清洗。由于各種原因，熱磷酸蝕刻后的沖洗是生產(chǎn)流程中最關(guān)鍵的沖洗過(guò)程之一。首先，即使在漂洗中使用熱UPW(超純水)，熱磷酸和漂洗槽之間的溫度也會(huì)下降大約100℃。溫度的突然變化給晶片帶來(lái)沖擊，潛在地導(dǎo)致晶片破裂加劇(特別是如果晶片之前經(jīng)歷過(guò)顯著的應(yīng)力)。其次，水合二氧化硅和酸本身都很難在純水中從表面去除。在充分沖洗的情況下，會(huì)導(dǎo)致顆粒污染和干燥后晶圓上的磷酸鹽溢出。磷酸的最有效沖洗是通過(guò)多步驟快速傾倒過(guò)程實(shí)現(xiàn)的，從熱超純水開(kāi)始(以最小化溫度沖擊)，以一個(gè)或兩個(gè)冷程序結(jié)束。將晶片轉(zhuǎn)移到加熱UPW( 65℃)的全浴中，15-30秒后將其傾倒。排水后，使用或不使用頂部噴淋沖洗，從底部重新填充水箱，然后溢出60-120秒。這個(gè)過(guò)程重復(fù)3到4次，第一步使用熱水，最后一步使用冷水。在漂洗過(guò)程的溢流步驟中使用兆聲可以大大提高漂洗性能。 硬件注意事項(xiàng)穩(wěn)定的工藝結(jié)果和高生產(chǎn)率在很大程度上依賴于許多與硬件相關(guān)的關(guān)鍵特性，這些特性將在此簡(jiǎn)要總結(jié):中間貯槽熱磷酸蝕刻在石英槽中進(jìn)行，化學(xué)品從底部供應(yīng)，并通過(guò)溢流返回到再循環(huán)。即使存在一批晶片，通過(guò)槽的化學(xué)流量也應(yīng)均勻，以確保在整個(gè)晶片表面上工藝介質(zhì)的相同連續(xù)交換。高交換流量是優(yōu)...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料溫度和濃度控制基本上有兩種方法來(lái)控制浸浴中的氮化物蝕刻過(guò)程，這兩種方法都包括連續(xù)加熱和補(bǔ)水:1.恒溫加熱溫度控制和H2O尖峰沸點(diǎn)調(diào)節(jié)。這種方法是最常見(jiàn)的控制方式，它使用強(qiáng)大的加熱器，能夠?qū)⒔橘|(zhì)加熱到沸點(diǎn)及以上。加熱功率在該過(guò)程中不受控制(即。設(shè)定在固定的、大部分是最大的設(shè)定點(diǎn))。通過(guò)改變H2O補(bǔ)充量，液體濃度被設(shè)定為在確定的工藝溫度下精確沸騰。因此，溫度極限由實(shí)際混合物的沸點(diǎn)控制。這種方法為標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用程序提供了可接受的性能結(jié)果。從投資角度來(lái)看，它是最具成本效益的解決方案，可用于自動(dòng)化和手動(dòng)(即。簡(jiǎn)單的過(guò)程控制)濕工作臺(tái)。缺點(diǎn)是在起泡液體中處理晶片，這影響晶片蝕刻的不均勻性，并且經(jīng)常導(dǎo)致晶片從盒子或保持器中取出，并且產(chǎn)生過(guò)量的工藝蒸汽，需要防止其在濕工作臺(tái)中再次冷凝并且有效通風(fēng)。此外，整個(gè)過(guò)程由單個(gè)參數(shù)控制，這不允許在加載效果和時(shí)間上微調(diào)變化的蝕刻性能。2.具有可變功率加熱的獨(dú)立功率和濃度控制。通過(guò)使用由溫度傳感器控制的具有可變功率的加熱系統(tǒng)，浴溶液可以被加熱到期望的處理器，同時(shí)H2O補(bǔ)充被設(shè)置為實(shí)現(xiàn)混合物的恒定濃度，以具有略高于工藝溫度的沸點(diǎn)。浴缸本身將保持平靜，基本上沒(méi)有泡沫。通過(guò)PID控制，加熱能夠補(bǔ)償過(guò)程變化，即。由進(jìn)入槽的冷晶片引起的溫度下降，并在整個(gè)工藝時(shí)間內(nèi)導(dǎo)致更可再現(xiàn)的蝕刻。此外，在熔池壽命期間的硅負(fù)載效應(yīng)可以根據(jù)水脈沖過(guò)程通過(guò)時(shí)間或...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料介紹在半導(dǎo)體制造流程中，氮化硅(Si3N4)用于定義有源區(qū)。通常稱為襯墊氮化物的Si3N4沉積在二氧化硅層(“襯墊氧化物”)上，并通過(guò)各向異性等離子體工藝在用于隔離各個(gè)器件的那些區(qū)域上被部分去除。焊盤氧化物的典型層厚在50-400之間，焊盤氮化物的典型層厚在200-1600之間，具體取決于應(yīng)用和技術(shù)。為了獲得全功能器件，有源區(qū)必須完全不含氮化硅，而由熱氧化物、LOCOS(硅的局部氧化)或STI(淺溝槽隔離)組成的隔離保持完整。同樣重要的是底層硅不被攻擊。特別是對(duì)于具有減小的器件拓?fù)浜突赥EOS的淺溝槽隔離的集成電路產(chǎn)品，氧化物去除的預(yù)算非常緊張。這種各向同性的去除過(guò)程是用熱磷酸(H3PO4)在浸浴中蝕刻來(lái)進(jìn)行的。不能使用干法(等離子體)蝕刻，因?yàn)榭蓪?shí)現(xiàn)的選擇性低得多。盡管加熱的氫氟酸可用于去除氮化物(這通常用于晶片或監(jiān)視器回收)，但這不適合產(chǎn)品應(yīng)用，因?yàn)檠趸璧奈g刻速率較高，因此不符合選擇性要求。選擇性氮化物蝕刻的典型工藝流程包括以下步驟，如圖1所示。作為蝕刻掉薄的天然氧化物層的第一處理步驟，經(jīng)常包括可選的短HF浸漬(包括隨后的沖洗)，該氧化物層可能是由于熱氧化步驟中的部分再氧化而形成的，以形成鈍化氧化物或場(chǎng)氧化物。該層起到蝕刻阻擋層的作用，在H3PO4中去除該層需要相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間，因此會(huì)影響工藝時(shí)間和均勻性?；瘜W(xué)反應(yīng) &...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料 您知道硅晶片在我們的日常生活中扮演著重要的角色嗎？這些薄芯片是制造電視、智能手機(jī)和太陽(yáng)能電池板的關(guān)鍵部件。雖然硅晶片制造過(guò)程涉及多個(gè)步驟，但最重要的步驟之一是蝕刻過(guò)程。蝕刻是指微加工方法，可能會(huì)因硅晶片的預(yù)期用途而異。然而，蝕刻工藝可以以各種方式進(jìn)行。讓我們仔細(xì)看看頂級(jí)硅晶圓蝕刻工藝。最佳硅晶片蝕刻工藝 緩沖氧化物蝕刻 這是制造需要蝕刻的硅和二氧化硅薄膜的首選方法。只有在氫氟酸和緩沖劑（例如氧化鋁）到位的情況下才能實(shí)現(xiàn)此過(guò)程。而且，緩沖氧化物蝕刻是一個(gè)可重復(fù)的過(guò)程，可以為您提供一致的結(jié)果。由于此蝕刻工藝與光刻膠兼容，因此不會(huì)底切掩膜氧化物，也不會(huì)弄臟硅。食人魚蝕刻 這種技術(shù)需要使用含有過(guò)氧化氫和硫酸混合物的食人魚蝕刻溶液。在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，這種蝕刻工藝可以去除有機(jī)化合物并氧化基板上的大多數(shù)金屬，從而徹底清潔硅晶片。雖然食人魚蝕刻是一種高效的工藝，但很少使用，因?yàn)閺?qiáng)大的腐蝕性氧化劑會(huì)使它變得極其危險(xiǎn)。為此，必須在整個(gè)過(guò)程中采取嚴(yán)格的安全措施，并要求進(jìn)行安全處置。KOH蝕刻 KOH蝕刻，也稱為氫氧化鉀濕法蝕刻工藝，最適合用于制造硅納米結(jié)構(gòu)。這種技術(shù)可以在確保最佳精度的同時(shí)在硅晶片中創(chuàng)建空腔。由于KOH蝕刻可以自動(dòng)化，越來(lái)越多的制造商選擇這種方法來(lái)降低成本并提高蝕刻效率。必須在微電子設(shè)備上開(kāi)發(fā)銅、金和鋁蝕刻金屬連接。出于這個(gè)原因，硅晶片必...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料您知道幾乎所有類型的電子設(shè)備都包含稱為半導(dǎo)體的集成電路嗎？要生產(chǎn)稱為晶片的半導(dǎo)體薄片，必須執(zhí)行一個(gè)耗時(shí)且具有挑戰(zhàn)性的過(guò)程。讓我們通過(guò)深入探索和探索晶圓制造中涉及的不同工藝來(lái)討論如何制造半導(dǎo)體。半導(dǎo)體是如何磨削制造的？為了生產(chǎn)價(jià)格合理且質(zhì)量上乘的晶圓，晶圓必須經(jīng)過(guò)表面磨削過(guò)程。在這個(gè)階段，粗拋光和研磨被部分或全部取代。切片，在硅晶片切片過(guò)程中，其純度水平、機(jī)械公差和晶體學(xué)完美度都受到密切監(jiān)控。半導(dǎo)體制造商尋求提高良率，因?yàn)樵摴に嚂?huì)顯著影響晶圓生產(chǎn)成本。倒圓，雖然硅可能是一種堅(jiān)硬的四價(jià)準(zhǔn)金屬，但它也可能很脆。因此，線鋸晶片的邊緣容易斷裂。為了消除粗糙區(qū)域，執(zhí)行舍入過(guò)程。金剛石圓盤用于去除損壞區(qū)域，同時(shí)使晶片邊緣更光滑。這個(gè)過(guò)程也是必要的，因?yàn)樗试S制造商達(dá)到客戶所需的直徑。研磨，此機(jī)械工藝旨在通過(guò)使用墊、雙或單一尺寸研磨工具和漿料混合物來(lái)平整和拋光晶片。此時(shí)，多余的硅材料被去除，實(shí)現(xiàn)了暗灰色和半反光效果。拋光，硅晶片做得更薄、更靈活，并且可以進(jìn)行切割。為此原因，制造用于電子設(shè)備的柔性電路需要拋光。清潔，當(dāng)暴露在空氣中時(shí)，硅晶片會(huì)受到污染。重要的是要注意受污染的晶片不能正常工作。為避免污染，它們會(huì)經(jīng)過(guò)一個(gè)清潔過(guò)程，包括臭氧清潔、RCA 清潔、超音波清潔或預(yù)擴(kuò)散清潔。檢查，在完成清洗過(guò)程后，晶片將被徹底檢查以確保它們沒(méi)有任何缺陷。這涉及使用特殊的檢測(cè)工具...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料殘留物清除 殘留物去除通常發(fā)生在蝕刻或注入步驟之后。由于光致抗蝕劑是一種含有長(zhǎng)鏈聚合物的有機(jī)材料，當(dāng)沒(méi)有其他物質(zhì)存在時(shí)，氧化很容易，聚合物從表面的去除也就完成了。然而，當(dāng)存在來(lái)自先前處理的殘留物時(shí)，必須在晶片被送至下一步驟之前將其去除。殘?jiān)コ碾y度取決于之前的處理；抗蝕劑的烘焙通過(guò)耗盡溶劑使其硬化，紫外(UV)曝光使抗蝕劑交聯(lián)(參考)，蝕刻耗盡抗蝕劑的溶劑并蝕刻抗蝕劑，同時(shí)在表面上沉積聚合物(參考)，離子注入使抗蝕劑交聯(lián)并脫氫，在抗蝕劑的外表面附近產(chǎn)生“外殼”。殘余物必須被去除，并且通常與光致抗蝕劑掩模的等離子體剝離相結(jié)合。殘余物既含有有機(jī)(通常含氟)材料，也含有無(wú)機(jī)(通常含硅)材料。例如，在蝕刻?hào)艠O疊層之后，除了保留在蝕刻區(qū)域中的不想要的柵極氧化物之外，通常使用一系列SPM和HF來(lái)去除蝕刻和剝離殘留物。 預(yù)氧化清洗由于在器件制造區(qū)域發(fā)現(xiàn)的大氣污染，有機(jī)薄膜薄層存在于晶片表面。有機(jī)蒸汽會(huì)從聚合物部件中釋放出來(lái)，例如晶片載體和建筑材料。雖然這些污染水平很低，但是晶片接受的處理對(duì)這些低水平很敏感，例如，在熱處理之前必須清潔表面。在許多制造領(lǐng)域，SPM清洗步驟是RCA預(yù)熱清洗過(guò)程的一部分。 SPM后沖洗和干燥 粘性SPM很難從晶圓表面去除，需要大量沖洗。表面的吸濕硫殘留物會(huì)吸收水分并產(chǎn)生顆粒缺陷。有效的沖洗對(duì)于防...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料介紹硫酸(H2SO4)和過(guò)氧化氫(H2O2)混合物(SPM)用于各種濕法清洗工藝步驟。下表中顯示了SPM的一些常見(jiàn)清潔和表面處理順序: 清潔步驟化學(xué)藥品典型序列光刻膠剝離抗蝕劑剝離后清洗H2SO4:H2O2H2SO4:H2O2SPMSPM抗蝕劑剝離后清洗殘留物清除H2SO4 : H2O2NH4OH:H2O2:H2OSPMSC-1殘留物清除高頻:H2OH2SO4:H2O2NH4OH:H2O2:H2ODHFSPMSC-1殘留物清除H2SO4:H2O2NH4OH:H2O2:H2OHF:NH4F:H2OSPMSC-1NOE預(yù)氧化清洗H2SO4:H2O2高頻:H2ONH4OH:H2O2:H2O鹽酸:H2O2:H2OSPMDHFSC-1SC-2 抗蝕劑剝離和抗蝕劑剝離后清潔抗蝕劑剝離包括去除應(yīng)用于晶片的所有光致抗蝕劑，用于光刻描繪步驟。剝離步驟可以在接受反應(yīng)離子蝕刻(RIE)工藝、濕法蝕刻工藝、離子注入工藝或金屬沉積剝離工藝之后進(jìn)行。正性光致抗蝕劑通常由酚醛清漆或磷(苯基氧基苯乙烯)樹(shù)脂與光活性化合物組成，溶劑用于制造粘性液體，該液體在晶片表面上旋轉(zhuǎn)，而負(fù)性光致抗蝕劑通常由聚甲基丙烯酸甲酯(聚甲基丙烯酸甲酯)(參考)組成，具有類似于正光致抗蝕劑的添加劑。這些化合物由碳?xì)浠衔锝M成，還有其他元素，或者作為樹(shù)脂或添加劑分子的一部分，或者作為雜質(zhì)...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料今天，硅晶片有多種用途，尤其是隨著我們作為一個(gè)技術(shù)世界不斷發(fā)展，但有不同類型的晶片和晶片工藝可以滿足特定產(chǎn)品的 特殊需求。例如，雙面拋光晶片在尺寸至關(guān)重要的情況下非常有用。為什么要拋光晶圓？ 晶圓拋光已成為晶圓制造過(guò)程中非常重要的一部分，因?yàn)榻陙?lái)對(duì)晶圓比以往任何時(shí)候都更薄的需求急劇增加。您最初可能會(huì)假設(shè)使物體更平坦會(huì)自動(dòng)使其更脆，但硅晶片不一定是這種情況。事實(shí)上，拋光可以使它們更堅(jiān)固，更靈活。這是由于去除了可以削弱硅的污染物。 在拋光完成之前 ， 由于 復(fù)雜的制造工藝，特別是晶片研磨方法，晶片的表面下通常會(huì)有一些 損壞 。 幸運(yùn)的是，這可以通過(guò)拋光輕松解決。無(wú)論是只關(guān)注一側(cè)還是兩側(cè)，質(zhì)量都會(huì)大大提高。 與其他晶圓相比有什么 不同？ 您會(huì)問(wèn)，這些晶圓與其他晶圓究竟 有何不同？典型地，晶片只用一個(gè)拋光側(cè)上形成，但顧名思義，雙面拋光的晶片 有 完成在兩側(cè)上的過(guò)程中， 制作 更薄的晶片，真正需要使用的空間最小量的情況。 拋光晶圓的優(yōu)勢(shì) 雙面拋光晶片更 明顯的優(yōu)勢(shì)之一是增加了平...
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