掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 高效指間背接觸(IBC)太陽(yáng)能電池有助于減少太陽(yáng)能電池板的面積，需要提供足夠數(shù)量的能源供家庭消費(fèi)。我們認(rèn)為適當(dāng)?shù)牟捎霉廒寮夹g(shù)的IBC電池即使在厚度不足的情況下也能保持20%的效率。本工作采用光刻和刻蝕技術(shù)對(duì)晶圓進(jìn)行深度刻蝕，使晶圓厚度小于20 μm。關(guān)鍵詞:IBC太陽(yáng)能電池，掩模蝕刻，光刻，反應(yīng)離子蝕刻，TMAH蝕刻介紹 太陽(yáng)能顯示出供應(yīng)潛力，這個(gè)因素取決于對(duì)高效率光伏器件和降低制造成本的需求。IA是光伏產(chǎn)業(yè)面臨的主要挑戰(zhàn)以與化石燃料競(jìng)爭(zhēng)的成本生產(chǎn)足夠數(shù)量的能源。這個(gè)因素取決于對(duì)高效率光伏器件和降低制造成本的需求。據(jù)報(bào)道，太陽(yáng)能電池的效率在規(guī)模上高于20%。商用太陽(yáng)能電池使用晶體硅材料。這種類(lèi)型的PV電池是指間背接觸太陽(yáng)能電池。實(shí)驗(yàn) 圖1所示 (a) SPR正型和(b) SU-8負(fù)型光刻膠對(duì)紫外線照射的響應(yīng) 圖2 SPR光刻和TMAH工藝流程 結(jié)果與討論 圖4 SPR 7.0沉積表面輪廓SU-8光刻膠與反應(yīng)性離子蝕刻 圖10 (a) 40μm和(b) 120μm沉積的表面輪廓文章全部詳情，請(qǐng)加華林科納V了解：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料介紹 自晶體管效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)(1948年)，這些研究主要集中在鍺和硅晶體上，特別是因?yàn)楦鞣N表面現(xiàn)象被發(fā)現(xiàn)有不利的影響，用這些材料制成的pn結(jié)器件的性能和穩(wěn)定性。 二氧化硅薄膜對(duì)薄膜的表面性質(zhì)具有穩(wěn)定作用硅。雖然不只是因?yàn)楸砻嬖蚍€(wěn)定。 該膜還可用于對(duì)雜質(zhì)的選擇性掩蔽擴(kuò)散，用于在硅中制造pn結(jié)。 它們還可以分離金屬Electrades來(lái)自半導(dǎo)體。 這種金屬電極可用于例如連接晶體管、二極管和電阻硅集成電路。 硅體性能 在室溫下，純(本征)硅不含許多流動(dòng)性載流子:約1·6.1010電子，正電荷數(shù)相同。雜質(zhì)可以摻入，以獲得增加電子或洞的數(shù)量?？烧业胶线m的供體元素例如P, As, Sb這些元素被替換地建立在硅晶格中，它們的組織能源相對(duì)較低。 圖1.2能級(jí)中有若干供體和受體雜質(zhì)îndicated的能量硅的間隙(在300°K下為1.1 eV)一種氧化物涂層半導(dǎo)體表面的物理模型 圖2.2 氧化物涂層半導(dǎo)體表面的模型 圖2.3 一種場(chǎng)效應(yīng)實(shí)驗(yàn)，其中半導(dǎo)體材料薄片的電導(dǎo) &...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 在未來(lái)幾代器件中，去除光刻膠和殘留物變得非常關(guān)鍵。在前端線（ FEOL）后離子注入（源極/漏極、擴(kuò)展），使用PR來(lái)阻斷部分 電路導(dǎo)致PR基本上硬化并且難以去除。在后端線（BEOL）蝕刻中，除低k材料的情況下去除抗蝕劑和殘留物的選擇性非常具有挑戰(zhàn)性。介紹 光致抗蝕劑用于保護(hù)晶片的某些區(qū)域免受干蝕刻化學(xué)物質(zhì)、離子注入等影響。工藝完成后，需要選擇性去除光刻膠并清潔表面，確保表面無(wú)殘留物和顆粒。使用濕化學(xué)物質(zhì)，如熱 SPM、有機(jī)溶劑或使用干等離子體“ 灰化”，原則上可以去除抗蝕劑。然而，抗蝕劑在干法蝕刻或注入處理期間被化學(xué)改性，并且適種改性可以顯著降低剝離速率。 圖1所示 當(dāng)pet被光刻阻保護(hù)時(shí)(不按比例)，選擇性結(jié)植入到fet的示意圖 圖2 x.裸硅襯底上KrF抗蝕線的掃描電鏡顯微圖(左)和(右)As植入前(40kev, 3 × 1015 cm.2):抗蝕變薄，模糊，結(jié)痂。 當(dāng)前的方法 為了達(dá)到足夠，從而達(dá)到可接受的低周期時(shí)間，以及良好的殘留去除，腐蝕等離子體str...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料導(dǎo)言:薄晶片已經(jīng)成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。其中包括用于射頻識(shí)別系統(tǒng)的功率器件、分立半導(dǎo)體、光電元件和集成電路。除了向堆疊管芯組件的轉(zhuǎn)移之外，垂直系統(tǒng)集成和微機(jī)電系統(tǒng)器件中的新概念要求晶片厚度減薄到小于150米。機(jī)械研磨是最常見(jiàn)的晶圓減薄技術(shù)，因?yàn)槠錅p薄速率高。商業(yè)上可獲得的研磨系統(tǒng)通常使用兩步工藝，首先以非常高的速率(5 m/sec)進(jìn)行粗研磨，然后以降低的速率進(jìn)行后續(xù)的細(xì)研磨工藝。實(shí)驗(yàn)性:實(shí)驗(yàn)是在SSEC 3300系統(tǒng)上進(jìn)行的。在蝕刻過(guò)程中，有許多工藝參數(shù)可以改變。為了這個(gè)研究的目的，使用了單一的蝕刻化學(xué)物質(zhì)。溫度、流速、分配曲線、旋轉(zhuǎn)速度和室排氣是可以通過(guò)工藝步驟編程的參數(shù)。我們希望關(guān)注對(duì)工藝影響最大的工具參數(shù)，因此選擇了溫度、旋轉(zhuǎn)速度和流速。所使用的化學(xué)物質(zhì)是氫氟酸、硝酸、硫酸和磷酸的混合物，并且作為旋蝕刻劑在市場(chǎng)上可以買(mǎi)到?；瘜W(xué)物質(zhì)的再循環(huán)使用SSEC的開(kāi)放式或封閉式收集環(huán)技術(shù)進(jìn)行。圖1:蝕刻過(guò)程中的SSEC收集環(huán)和液流分配采用JMP軟件進(jìn)行三因素三水平的Box-Behnken響應(yīng)面試驗(yàn)設(shè)計(jì)。測(cè)量的響應(yīng)是蝕刻速率、TTV和表面粗糙度 略結(jié)果 略文章全部詳情，請(qǐng)加華林科納V了解：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 研究了在半導(dǎo)體制造過(guò)程中使用的酸和堿溶液從硅片表面去除粒子。 結(jié)果表明，堿性溶液的顆粒去除效率優(yōu)于酸性溶液。 在堿性溶液中，顆粒去除的機(jī)理已被證實(shí)如下:溶液腐蝕晶圓表面以剝離顆粒，然后顆粒被電排斥到晶圓表面。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，需要0.25 nm /min以上的刻蝕速率才能使吸附在晶圓表面的顆粒脫落。介紹 由于半導(dǎo)體器件正在追求更高水平的 集成度和更高分辨率的模式，ET清潔技術(shù)對(duì)于重新 移動(dòng)硅片表面的污染物仍然至關(guān)重要。 在1970年提出的RCA清洗工藝作為一種濕式清洗技術(shù)在世界各地仍在使用，以去除晶圓表面的污染物。 雖然RCA凈化 過(guò)程中，NH4OH-H2O2-H2O溶液對(duì) 顆粒的去除效果非常好，但其顆粒去除機(jī)理尚不完全清楚。實(shí)驗(yàn) 采用五英寸CZ(1,0,0)晶片進(jìn)行粒子吸附實(shí)驗(yàn)。 天然氧化物首先在0.5%的HF溶液中從晶圓表面去除。 然后將晶片浸泡在含有顆粒的各種溶液中10分鐘，然后沖洗和干燥。 天然氧化物在晶圓表面形成后，再在0.5%的HF溶液中移動(dòng)，然后清洗和干燥。結(jié)果與討論 圖2所示 pH對(duì)Fe2O3離子氧化粒的...
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一、 前言電路板使用銅作為導(dǎo)電材料，制作過(guò)程中大多采用先進(jìn)電鍍?cè)傥g刻的方式使電路成型。一般而言，可概分為減成法(subtractive process)及加成法（additive process），前者是以銅箔基板為基材經(jīng)印刷或壓模、曝光、顯影等程序在基板上形成一線路圖案再將板面上線路部分以外的銅箔蝕刻掉，最終剝除覆蓋在線路上的感光性干膜阻劑或油墨，以形成電子線路的方法；而后者則采未壓銅膜的基板，以化學(xué)沉銅沉積的反反復(fù)，在基板上欲形成線路的部分進(jìn)行銅沉積，以形成導(dǎo)電線路。減成法又可細(xì)分為全板鍍銅法（pannel plating）及線路鍍銅法（pattern plating），另外還有上述兩種制造方法折衷改良的局部加成發(fā)法（partial additive）。目前電路板制造上還是多以減成法為主。無(wú)論哪種制造方式，蝕刻皆是其制造流程中不可或缺的一部分，尤其是減成法最為重要。二、 蝕刻液之分類(lèi)與說(shuō)明蝕刻液一般可分為酸性蝕刻液與堿性蝕刻液兩類(lèi)，酸性蝕刻液會(huì)攻擊以錫或錫鉛為主的阻抗液金屬阻劑層，對(duì)干膜攻擊力較低；反之，堿性蝕刻液則會(huì)攻擊干膜，對(duì)金屬阻劑的攻擊力較低，所以目前酸性及堿性蝕刻液在電路板制程上的選用大致上十分清楚；有干膜的流程，如內(nèi)層蝕刻走酸性蝕刻，有金屬阻劑的制程，如外層蝕刻則走堿性蝕刻。2.1 酸性蝕刻液酸性蝕刻液主要用在內(nèi)層蝕刻以氯酸鈉、氯化銅以及氯化鐵為...
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MEMS（Micro Electro mechanical System）即微機(jī)電系統(tǒng)，是指采用微機(jī)電加工技術(shù)按照功能要求在微米量級(jí)的芯片上集成機(jī)械零件、電子組件和傳感器執(zhí)行組件等而形成的一個(gè)獨(dú)立智能系統(tǒng)。由于單晶石英材料具有壓電效應(yīng)，且具有優(yōu)良的溫度、機(jī)械性能、高品質(zhì)因素等特性，采用單晶石英制作的石英 MEMS 加速度傳感器、壓力傳感器和石英 MEMS 陀螺儀等，具有高精度、高穩(wěn)定性、高分辨率等特點(diǎn)，在微型慣性導(dǎo)航系統(tǒng)、姿態(tài)測(cè)量與控制、航空航天、汽車(chē)電子、儀器儀表等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用，其加工工藝和設(shè)備制造技術(shù)研究對(duì)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供技術(shù)支持具有十分重要的意義。 1 石英 MEMS 傳感器敏感芯片結(jié)構(gòu)石英 MEMS 傳感器主要應(yīng)用于振動(dòng)慣性器件，是通過(guò)振動(dòng)原理測(cè)量運(yùn)動(dòng)物體的各種運(yùn)動(dòng)參數(shù)（包括角速度、角度、線加速度等）的慣性器件。石英 MEMS 振動(dòng)慣性器件主要包括石英微機(jī)械振動(dòng)陀螺、石英振梁加速度計(jì)等，其敏感結(jié)構(gòu)采用石英晶體，基于石英晶體壓電效應(yīng)原理、采用微電子加工工藝，是振動(dòng)慣性技術(shù)與微機(jī)械加工技術(shù)的有機(jī)結(jié)合。石英微機(jī)械振動(dòng)陀螺是一種音叉結(jié)構(gòu)的哥氏振動(dòng)陀螺，是一種 MEMS 角速度傳感器。其敏感芯片結(jié)構(gòu)為雙端音叉結(jié)構(gòu)，包括驅(qū)動(dòng)音叉、讀出音叉及支撐結(jié)構(gòu)。石英微機(jī)械振動(dòng)陀螺工作原理及敏感芯片結(jié)構(gòu)如圖 1 所示。驅(qū)動(dòng)音叉被激勵(lì)以其自然頻率左右振動(dòng)，當(dāng)石英 MEMS 陀螺繞其垂直軸...
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一、引言化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵 （GaAs）和磷化銦（InP）是微電子和光電子的基礎(chǔ)材料，而砷化鎵則是化合物半導(dǎo)體中最重要、用途最廣泛的半導(dǎo)體材料，也是目前研究得最成熟、生產(chǎn)量最大的化合物半導(dǎo)體材料。由于砷化鎵具有電子遷移率高（是硅的5~6倍）、禁帶寬度大（它為1.43eV，Si為1.1eV）且為直接帶隙，容易制成半絕緣材料（電阻率~?cm）、本征載流子濃度低、光電特性好。用砷化鎵材料制作的器件頻率響應(yīng)好、速度快、工作溫度高，能滿(mǎn)足集成光電子的需要。它是目前最重要的光電子材料，也是繼硅材料之后最重要的微電子材料，它適合于制造高頻、高速的器件和電路。此外, GaAs材料還具有耐熱、耐輻射及對(duì)磁場(chǎng)敏感等特性。所以,用該材料制造的器件也具有特殊用途和多樣性,其應(yīng)用已延伸到硅、鍺器件所不能達(dá)到的領(lǐng)域。即使在1998年世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不景氣的狀況下, GaAs材料器件的銷(xiāo)售市場(chǎng)仍然看好[1]。當(dāng)然, GaAs材料也存在一些不利因素,如:材料熔點(diǎn)蒸氣壓高、組分難控制、單晶生長(zhǎng)速度慢、材料機(jī)械強(qiáng)度弱、完整性差及價(jià)格昂貴等,這都大大影響了其應(yīng)用程度。然而, GaAs材料所具有的獨(dú)特性能及其在軍事、民用和產(chǎn)業(yè)等領(lǐng)域的廣泛用途,都極大地引起各國(guó)的高度重視,并投入大量資金進(jìn)行開(kāi)發(fā)和研究。一． 材料的結(jié)構(gòu)2.1砷化鎵的晶體結(jié)構(gòu)砷化鎵晶格是由兩個(gè)面心立方(fcc)的子晶格(格點(diǎn)上分別是砷和鎵的兩個(gè)子...
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1.國(guó)內(nèi)砷化鎵材料發(fā)展現(xiàn)狀目前中國(guó)的砷化鎵材料生產(chǎn)企業(yè)主要以LED用低阻砷化鎵晶片為代表的低端市場(chǎng)為主，利潤(rùn)率較高的微電子用4-6英寸半絕緣晶片還沒(méi)有形成產(chǎn)業(yè)規(guī)模。中國(guó)大陸從事砷化鎵材料研發(fā)與生產(chǎn)的公司主要有：北京通美晶體技術(shù)有限公司（AXT）、中科晶電信息材料（北京）有限公司、天津晶明電子材料有限責(zé)任公司（中電46所）、北京中科鎵英半導(dǎo)體有限公司、北京國(guó)瑞電子材料有限責(zé)任公司、揚(yáng)州中顯機(jī)械有限公司、山東遠(yuǎn)東高科技材料有限公司、大慶佳昌科技有限公司、新鄉(xiāng)神舟晶體科技發(fā)展有限公司（原國(guó)營(yíng)542廠）等九家。北京通美是美國(guó)AXT獨(dú)資子公司，其資金、管理和技術(shù)實(shí)力在國(guó)內(nèi)砷化鎵材料行業(yè)首屈一指，產(chǎn)品主要以VGF法4、6英寸半絕緣砷化鎵材料為主。其在高純鎵、高純砷、高純鍺以及氮化硼坩堝等方面均有投資，有效地控制了公司成本，2009年銷(xiāo)售收入8 000萬(wàn)美元，短期內(nèi)國(guó)內(nèi)其它各公司還難以和北京通美形成真正的競(jìng)爭(zhēng)。中科晶電成立于2006年，主要從事VGF砷化鎵單晶生長(zhǎng)和拋光片生產(chǎn)，該公司為民營(yíng)企業(yè)，總投資為2 500萬(wàn)美元，在高純砷和高純鎵方面也已投資建廠。2009年月產(chǎn)2英寸砷化鎵晶片10萬(wàn)片，2010年月產(chǎn)達(dá)到15萬(wàn)片。該公司是目前國(guó)內(nèi)發(fā)展速度最快的砷化鎵企業(yè)。 天津晶明公司成立于2007年，由中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所投資，注冊(cè)資本1400萬(wàn)元，總投入約5 000...
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論是醫(yī)學(xué)，還是航空航天，抑或是信息科技，在我們能夠想到的科技領(lǐng)域中，材料都扮演著極其重要的角色。材料的強(qiáng)度、柔韌度、耐腐蝕性、電子遷移率、比表面積等等各種物理、化學(xué)、電學(xué)性質(zhì)，默默影響著最終產(chǎn)品性能的實(shí)現(xiàn)或發(fā)揮，甚至起著決定勝負(fù)的作用。這也是為什么很多科學(xué)家在孜孜不倦地尋找更多新型材料，因?yàn)樾碌牟牧闲阅?，意味著全新的可能，為新技術(shù)的實(shí)現(xiàn)提供了嶄新舞臺(tái)。德國(guó)科學(xué)家正在研制一種由鎂制成的小型植入物和螺釘，具有足夠的機(jī)械穩(wěn)定性，并在人體內(nèi)的降解程度可控，不會(huì)導(dǎo)致人體組織損傷。在骨頭破裂的地方，醫(yī)生通常會(huì)用植入物來(lái)固定骨頭碎片，而選擇哪種植入物需要慎重考慮。鈦或鋼制螺釘和固定板在機(jī)械、化學(xué)性能上非常穩(wěn)定，但如果要拆卸就必須再次手術(shù)；有機(jī)材料植入物，則可能會(huì)慢慢溶解，還存在強(qiáng)度不足、溶解物對(duì)人體有害等缺點(diǎn)。針對(duì)這一難題，德國(guó)聯(lián)邦材料測(cè)試研究所利用鎂開(kāi)發(fā)出功能表面最佳的合金板和矯形螺釘。這種鎂植入物尤其適用于骨骼迅速增長(zhǎng)的兒童，生物降解的螺釘不會(huì)影響孩子的骨骼生長(zhǎng)，可以免去二次手術(shù)，降低感染風(fēng)險(xiǎn)并節(jié)省成本。 研究人員艾利·布魯尼克說(shuō)：“鎂合金植入物不僅具有生物相容性，而且在最初的脆弱愈合階段具有與骨骼相似的機(jī)械性能，因此比鈦更合適?！毕胗面V合金...
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