掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料 摘要眾所周知，高劑量離子注入 (HDI) 光刻膠難以通過(guò)常規(guī)濕法剝離（例如硫酸-過(guò)氧化物混合物）去除，而不會(huì)因?yàn)槠涮蓟鈿佣鴮?dǎo)致基板損失。為了克服這個(gè)問(wèn)題，提出了幾種方法，例如干蝕刻濕法，輔助物理清潔。在本文中，介紹了一種在同一腔室中使用干法和濕法相結(jié)合的剝離 HDI 光刻膠的新方法，以實(shí)現(xiàn)在不損失基板的情況下去除 HDI 光刻膠。一個(gè)新的過(guò)程包括兩個(gè)步驟。第一個(gè)過(guò)程通過(guò)大氣壓電感耦合氫等離子體去除碳化外殼層，第二個(gè)過(guò)程通過(guò)硫酸-臭氧混合物去除剩余的本體光刻膠。新工藝可以去除 HDI 光刻膠而不會(huì)造成任何基板損失。傳統(tǒng)上，光刻膠已使用等離子灰化的組合剝離，低壓氧氣和浸漬濕法處理。然而， 由于等離子體灰化后的材料損壞，典型的灰化工藝已成為納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)器件中的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題。因此，在光刻膠剝離中實(shí)施全濕法或其他無(wú)損傷工藝是必不可少的。實(shí)驗(yàn)性氣壓電感耦合等離子體 (AICP)?！?低壓等離子體已用于半導(dǎo)體行業(yè)。然而，這里描述的新工藝要求在大氣壓下產(chǎn)生干凈的等離子體，因?yàn)樗糜陂_(kāi)放室單晶片、自旋清潔系統(tǒng)。因此，我們采用了 AICP 技術(shù)。該技術(shù)具有以下特點(diǎn)。 1. 等離子體非常干凈，因?yàn)殡姼旭詈系入x子體 (ICP) 沒(méi)有電極，這是金屬污染的來(lái)源。2. 該設(shè)備的結(jié)構(gòu)非常簡(jiǎn)單，因?yàn)椴恍枰忾]的腔室。3. 可以產(chǎn)生高密度等離子體...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要半導(dǎo)體器件的制造工程使光電儀器、激光二極管和無(wú)線通信設(shè)備以及許多其他現(xiàn)代設(shè)備成為可能。從 1947 年 Bardeen、Brittain 和 Shockley 在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明晶體管以及大約十年后 Kilby 和 Noyce 引入集成電路開(kāi)始，半導(dǎo)體器件極大地推動(dòng)了計(jì)算和電子行業(yè)的發(fā)展。半導(dǎo)體材料，如硅、鍺、砷化鎵和磷化銦，既不是良好的絕緣體，也不是良好的導(dǎo)體，但它們具有固有的電氣特性，因此通過(guò)控制添加雜質(zhì)，它們的導(dǎo)電性可以達(dá)到改變了。由于需要制造微米級(jí)和納米級(jí)器件，半導(dǎo)體行業(yè)遵循“摩爾定律”，即集成電路上的晶體管數(shù)量大約每?jī)赡瓿手笖?shù)增長(zhǎng)的趨勢(shì)。制造這些集成電路的微小特征是通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體材料進(jìn)行等離子體蝕刻來(lái)實(shí)現(xiàn)的。介紹InGaP 和 InGaAsSb 等半導(dǎo)體對(duì)于發(fā)光設(shè)備以及通信設(shè)備和電子設(shè)備都很重要。這些器件的制造是通過(guò)等離子蝕刻實(shí)現(xiàn)的，其中電離氣體混合物通過(guò)化學(xué)反應(yīng)和物理轟擊來(lái)蝕刻基板。在用于這些目的的等離子蝕刻中，銦產(chǎn)品沒(méi)有那么易揮發(fā)，而且通常比其他半導(dǎo)體材料更難去除。實(shí)驗(yàn)性 圖 1 是晶片層的簡(jiǎn)化的表示結(jié)果與討論在第一輪蝕刻過(guò)程之后，結(jié)果尚無(wú)定論。看來(lái)濕蝕刻溶液沒(méi)有選擇性地蝕刻晶片。假設(shè)晶片可能已經(jīng)倒置，這意味著正在蝕刻更厚的 GaAs 底層而不是 750Å 頂層。在第二輪蝕刻過(guò)程中，小心地使用劃線器標(biāo)...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要已經(jīng)研究并實(shí)現(xiàn)了成功的 AlN 和 GaN 表面的非原位和原位清潔程序。暴露于 HF 和 HCl 溶液分別在 AlN 和 GaN 表面產(chǎn)生最低的氧覆蓋率。然而，檢測(cè)到大量殘留的 F 和 Cl。這些鹵素在氮化物表面束縛了懸掛鍵，阻礙了再氧化。F 的解吸需要溫度 850 °C。在 450 °C 時(shí)，遠(yuǎn)程 H 等離子體暴露可有效去除兩種氮化物表面的鹵素和碳?xì)浠衔?，但?duì)氧化物去除效果不佳。在 700–800 °C 的 NH3 中對(duì) GaN 進(jìn)行退火可產(chǎn)生原子級(jí)清潔以及化學(xué)計(jì)量的 GaN 表面。介紹氮化鋁 (AlN)、氮化鎵 (GaN) 和氮化銦 (InN) 是帶隙分別為 6.2、3.5 和 1.9 eV 的半導(dǎo)體。最近演示的基于 InGaN 的藍(lán)色激光器量子阱結(jié)構(gòu)，重點(diǎn)介紹了該領(lǐng)域最近取得的許多進(jìn)展。GaN、AlN 及其合金也可用于高功率、高頻和高溫器件應(yīng)用。 最近觀察到的 AlN6 和 AlxGa1-xN7 合金的負(fù)電子親和力也使這些候選材料成為可能用于場(chǎng)發(fā)射器冷陰極電子器件。 表面清潔工藝是大多數(shù)半導(dǎo)體器件制造步驟的基礎(chǔ)。在硅和砷化鎵技術(shù)中獲得的經(jīng)驗(yàn)表明，表面清潔對(duì)外延缺陷、金屬接觸電阻/穩(wěn)定性、和整體設(shè)備質(zhì)量。因此，表面清潔度的標(biāo)準(zhǔn)必須考慮表面的整個(gè)電氣、結(jié)構(gòu)和物理狀態(tài)。這包括去除天然氧化物、有機(jī)污染...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要我們研究了使用超臨界二氧化碳 (SCCO2)/化學(xué)添加劑配方去除離子注入光刻膠的方法。通過(guò) SEM 和 XPS 分析對(duì)加工樣品的離子注入表面進(jìn)行表征表明，使用超臨界二氧化碳/共溶劑配方，可以實(shí)現(xiàn)離子注入光刻膠的有效剝離，同時(shí)避免超臨界制造過(guò)程中的硅凹陷和摻雜劑消耗。 CMOS 晶體管的淺結(jié)。介紹用于 45 nm 及以上節(jié)點(diǎn)的高級(jí) CMOS 器件需要高驅(qū)動(dòng)電流和超淺結(jié)，以滿足電路在速度和靜態(tài)泄漏方面的規(guī)范。在剝離用于制造源極/漏極擴(kuò)展的光刻膠時(shí)，硅凹陷和摻雜劑消耗對(duì)結(jié)輪廓的影響變得至關(guān)重要。使用光刻膠掩模多次以各種不同劑量水平注入各種離子，以形成各種不同MOS晶體管的源/漏擴(kuò)展。目前，氧等離子體灰化和硫酸/過(guò)氧化氫處理已被用于光刻膠剝離。用這種等離子體和化學(xué)氧化工藝形成的二氧化硅被后續(xù)的 SC1 清洗步驟蝕刻掉，導(dǎo)致超淺結(jié)的硅凹陷。實(shí)驗(yàn)方法本研究中使用的樣品是具有 1.3 nm 厚化學(xué)氧化膜的 15 x 15 mm 硅晶片。在硅表面上以 0.3 微米間距在化學(xué)氧化膜的表面上制備 1 微米寬的光刻膠掩模圖案，該硅表面具有由聚苯乙烯衍生物制成的 700 納米厚、254 納米正性光刻膠。未圖案化的光刻膠薄膜也在硅襯底上用與覆蓋光刻膠樣品相同的聚合物制備。砷離子以2 x 10 13 至2 x 10 15/cm2 的劑量范圍注入晶片表面。結(jié)果與討論確定極...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料介紹和背景? 選擇性氮化硅到氧化硅蝕刻有許多應(yīng)用，主要的應(yīng)用是在 MOSFET 中形成柵極側(cè)壁間隔。? Si3N4 是絕緣的，具有高熱穩(wěn)定性，并且是防止摻雜劑擴(kuò)散的屏障。? 柵極隔離物有助于準(zhǔn)確定義溝道長(zhǎng)度、S/D 摻雜分布，并有助于消除短溝道效應(yīng)。? 需要選擇性來(lái)準(zhǔn)確地停止在 1 -2nm 厚的底層 SiO2 上。? 在 基于 F 的等離子體，氮化物蝕刻行為比 SiO2 更接近 Si。? 氮化物 蝕刻更依賴于 F 濃度而較少依賴于離子轟擊。? 氮化物的能力 消耗氟碳沉積層更接近于氧化硅。? 親戚 氮化物和氧化物的蝕刻速率主要由 FC 相互作用層厚度和等離子體化學(xué)中的 C:F:H 比決定。? 來(lái)自聚合物形成氣體 (CHF3, CH2F2) 的 H 自由基通過(guò)產(chǎn)生 HCN 蝕刻產(chǎn)物和減少氮化硅上相對(duì)于氧化硅的 FC 沉積來(lái)促進(jìn)從 Si3N4 中去除 N。? SF6 由于大量生成原子 F 以及相對(duì)較低的直流偏壓，是實(shí)現(xiàn)氮化物對(duì)氧化物的高選擇性的最佳選擇。 聚合物 阻塞性 背景? 氮?dú)?是氮化硅蝕刻中重要的蝕刻產(chǎn)品。? 氮的解吸通常是氮化物蝕刻的限制因素。? 在等離子體...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要近年來(lái)，在減薄步驟后提高晶圓強(qiáng)度一直是砷化鎵（GaAs）晶圓制造的一個(gè)持續(xù)問(wèn)題。晶圓強(qiáng)度的提高將顯著減少拆卸和清洗過(guò)程中的晶圓破損。優(yōu)化減薄工藝以最小化機(jī)械應(yīng)力源非常關(guān)鍵。提高薄 GaAs 晶片強(qiáng)度的一種明顯方法是在晶片研磨后應(yīng)用濕蝕刻步驟以去除表面損傷。本文將討論 Skyworks 設(shè)施開(kāi)發(fā)的晶圓減薄和拋光工藝的改進(jìn)。 簡(jiǎn)介研磨工藝在晶圓減薄操作中提供最佳平整度 ，但也會(huì)引入大量微裂紋，從而在晶圓中產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力。濕法蝕刻或拋光的目的是去除研磨過(guò)程中殘留的表面損傷。過(guò)去，我們了解到晶圓拆卸步驟中的高破損率與機(jī)械應(yīng)力直接相關(guān)，濕蝕刻晶圓的成品率低于拋光晶圓。然而，本文將表明晶圓強(qiáng)度與表面粗糙度直接相關(guān)，拋光方法對(duì)晶圓強(qiáng)度提高的影響比濕蝕刻方法更顯著。不同組的晶圓強(qiáng)度 設(shè)計(jì)了一個(gè)特殊的夾具來(lái)固定減薄的晶片。這種特殊的夾具有一個(gè)開(kāi)口，其形狀與 4 英寸 GaAs 晶片的形狀相同，帶有一個(gè)大平面和一個(gè)小平面。有一個(gè)帶有抽拉裝置的封閉室，用于將破裂的晶片固定在開(kāi)口下方。當(dāng)晶片固定臺(tái)朝尖端向上移動(dòng)時(shí)，臺(tái)速度設(shè)置為 10 毫米/秒。當(dāng)尖端使晶片破裂時(shí)，晶片臺(tái)停止，顯示的最大載荷是晶片的強(qiáng)度。不同晶片組的結(jié)果繪制在圖 2 中。 表面粗糙度與晶圓強(qiáng)度之間的關(guān)系圖 3 顯示了表面粗糙度和晶片強(qiáng)度之間的關(guān)系。晶...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 使用高腐蝕性化學(xué)品去除晶片表面上的納米顆粒會(huì)導(dǎo)致基板損失。這導(dǎo)致使用提供聲空化以去除小顆粒的兆聲波。兆聲波確實(shí)會(huì)產(chǎn)生氣泡空化，它對(duì)晶圓結(jié)構(gòu)施加機(jī)械力，劇烈空化如過(guò)境空化或微射流會(huì)損壞圖案結(jié)構(gòu)。本文提出了一種新的兆聲波技術(shù)，該技術(shù)提供了對(duì)氣泡空化的穩(wěn)定控制，在不同模式下不會(huì)損壞圖案。與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的雙流體噴嘴清潔技術(shù)相比，該技術(shù)顯示出更好的顆粒性能。這種及時(shí)通電氣泡振蕩模式提供穩(wěn)定的空化和寬功率窗口。它不同于傳統(tǒng)的兆聲波，后者在氣泡內(nèi)爆時(shí)會(huì)產(chǎn)生過(guò)境空化和損壞。這種新的兆聲波技術(shù)可用于清潔 28 納米及以下的“敏感”結(jié)構(gòu)，而不會(huì)損壞任何圖案。關(guān)鍵詞： 無(wú)損傷清洗、穩(wěn)定的非暴力空化、顆粒去除、兆聲技術(shù)、單晶片清洗 簡(jiǎn)介隨著特征尺寸的縮小和電路結(jié)構(gòu)密度的增加，“致命缺陷”——可能導(dǎo)致芯片在良率測(cè)試中失敗的最小缺陷尺寸——會(huì)減少。從更小、更密集的芯片中去除隨機(jī)缺陷更加困難，尤其是當(dāng)缺陷尺寸小于晶圓表面所謂的“邊界層”的尺寸并且清潔效率下降到接近于零時(shí)。由于邊界層的厚度，使用兆聲清洗可以將較小的力傳遞給小顆粒。兆聲清洗中小顆粒的去除主要是由于氣體空化。聲致發(fā)光測(cè)量進(jìn)一步支持了這一結(jié)論 [3,4]。為了更好地去除顆粒，一項(xiàng)關(guān)于用兆聲波增強(qiáng)空化活性的研究發(fā)現(xiàn)，研究了最佳脈沖關(guān)閉時(shí)間對(duì)氣體濃度的依賴性，并確定了溶解氣體含量的最佳工藝范圍 脈沖...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 該研究顯示了去離子 (DI) 沖洗和氧化物 HF 濕蝕刻工藝對(duì)硅襯底的影響 光刻工藝。在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 器件的制造過(guò)程中，我們?cè)?DI 沖洗步驟后發(fā)現(xiàn)晶圓中心出現(xiàn)故障，稱為 Si 凹坑。我們?cè)噲D通過(guò)在 CMOS 制造中使用硅晶片并分析由 DI 沖洗引起的摩擦電荷的影響來(lái)找出 Si 凹坑的機(jī)制。該實(shí)驗(yàn)的關(guān)鍵參數(shù)是每分鐘轉(zhuǎn)數(shù) (rpm) 和時(shí)間。觀察到超過(guò) 10 秒的孵育時(shí)間對(duì)于形成 Si 凹坑，并且沖洗時(shí)間比 rpm 對(duì) Si 凹坑的形成更有效。通過(guò)使用等離子體密度監(jiān)測(cè)器測(cè)量充電水平，研究了 Si 凹坑的形成機(jī)制和優(yōu)化的沖洗工藝參數(shù)。關(guān)鍵詞 光刻、DI 沖洗、摩擦充電、Si 坑、PDM。簡(jiǎn)介 隨著現(xiàn)代半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展，超大規(guī)模集成（VLSI）制造工藝也在以非?？斓乃俣劝l(fā)展，集成電路的集成度進(jìn)一步提高，電路的線寬越來(lái)越大。也變得很好。半導(dǎo)體制造工藝可以基于CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）工藝集成來(lái)解釋。光刻，今天被用作一種形成圖案的方法，用于制造幾乎所有的集成電路。半導(dǎo)體制造工藝重光工藝起到蝕刻掩膜的作用，形成所需的膜結(jié)構(gòu)，或形成掩膜的工藝，將適量的離子注入所需的區(qū)域?；旧?，它與采取a的工藝幾乎相同如圖，在晶圓上經(jīng)過(guò)抗蝕劑涂布→曝光→顯影三步過(guò)程?？刮g劑涂覆工藝是在硅片上涂上PR（光刻膠）的工藝，曝光工藝使一定波長(zhǎng)的光通過(guò)...
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