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引言

氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說(shuō)，它們?cè)谀承┓较蛏系奈g刻速度比在其他方向上的蝕刻速度快，而各向同性蝕刻(如HF)會(huì)向所有方向侵蝕。使用KOH工藝是因?yàn)槠湓谥圃熘械目芍貜?fù)性和均勻性，同時(shí)保持了較低的生產(chǎn)成本。異丙醇(IPA)經(jīng)常添加到溶液中，以改變從{110}壁到{100}壁的選擇性，并提高表面光滑度。

氧化物和氮化物在KOH中都蝕刻緩慢。氧化物可以在KOH蝕刻浴中用作短時(shí)間的蝕刻掩模。對(duì)于更長(zhǎng)的時(shí)間，氮化物是更好的掩模，因?yàn)樗贙OH中蝕刻得更慢。另一種選擇(對(duì)許多其他功能有用)是用硼摻雜晶片。這也將降低蝕刻速率，實(shí)際上停止富硼硅的蝕刻。

當(dāng)KOH濃度在80℃時(shí)達(dá)到18wt%時(shí)，蝕刻速率隨著KOH濃度的增加而增加。當(dāng)KOH濃度增加超過(guò)18wt%時(shí)，蝕刻速率降低。蝕刻過(guò)程中發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)就是這種變化的結(jié)果。這將在后面更深入地討論。然而，通常不使用最大蝕刻速率的濃度，因?yàn)楸砻婀饣入S著濃度的增加而提高(明顯高于30%)。

其中濃度以摩爾/升為單位，k0 = 413米/分鐘*(摩爾/升)-4.25，EA = 0.595電子伏。KOH的密度和分子量分別為2.055克/立方厘米和56.11克/摩爾，水的密度和分子量分別為1.00克/立方厘米和18.02克/摩爾。

使用KOH蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)。最大的問(wèn)題是蝕刻過(guò)程中H2氣泡的產(chǎn)生。這些H2氣泡充當(dāng)了一個(gè)偽面具。這增加了粗糙度，并可能損壞微結(jié)構(gòu)。與KOH蝕刻相關(guān)的另一個(gè)問(wèn)題是KOH含有堿離子。KOH是MOS器件的終生殺手。使用KOH的人必須小心不要污染任何其他過(guò)程。KOH還會(huì)腐蝕鋁，這可能是片上電路的一個(gè)問(wèn)題。

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堿性KOH蝕刻特性

各向異性KOH蝕刻速率與取向的關(guān)系

KOH蝕刻的蝕刻速率受到硅的晶體取向的嚴(yán)重影響。這是因?yàn)樗母飨虍愋孕再|(zhì)。下表列出了70?時(shí)硅的取向與KOH濃度的關(guān)系。

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KOH蝕刻速率與成分和溫度的關(guān)系

蝕刻速率隨著溫度的增加而增加；然而，隨著蝕刻速率的增加，會(huì)導(dǎo)致不太理想的蝕刻行為。當(dāng)KOH濃度增加超過(guò)18wt%時(shí)，蝕刻速率降低。這是因?yàn)榘l(fā)生了蝕刻反應(yīng)。當(dāng)強(qiáng)堿，如KOH(含有大量的OH-離子)存在時(shí)，硅-硅鍵斷裂。該蝕刻導(dǎo)致Si(OH)4的形成、四個(gè)水分子的消耗和兩個(gè)氫氣分子的釋放。隨著溶液中水含量的降低，反應(yīng)變得受限[11]。下面是取自[1]的表格，其中硅取向相關(guān)的蝕刻速率與成分百分比、溫度和取向有關(guān)。

蝕刻速率隨著溫度的增加而增加；然而，隨著蝕刻速率的增加，會(huì)導(dǎo)致不太理想的蝕刻行為。當(dāng)KOH濃度增加超過(guò)18wt%時(shí)，蝕刻速率降低。這是因?yàn)榘l(fā)生了蝕刻反應(yīng)。當(dāng)強(qiáng)堿，如KOH(含有大量的OH-離子)存在時(shí)，硅-硅鍵斷裂。該蝕刻導(dǎo)致Si(OH)4的形成、四個(gè)水分子的消耗和兩個(gè)氫氣分子的釋放。隨著溶液中水含量的降低，反應(yīng)變得受限。下面是取自[1]的表格，其中硅取向相關(guān)的蝕刻速率與成分百分比、溫度和取向有關(guān)。