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評價蝕刻和清洗過程

蝕刻和清洗許多現(xiàn)代制造的表面，如硅片，會給制造商帶來許多問題。?許多濕法蝕刻工藝使用腐蝕性和危險液體，如硫酸氫銨和氫氟酸，可能對用戶和環(huán)境造成危害。

毒性較低的方法，如機械研磨和噴砂，耗時較長，精確度較低，更適合創(chuàng)建宏觀蝕刻——當(dāng)電子元件需要更小、更復(fù)雜的電路時，用處較小。?光燒蝕使用高能激光來制造微蝕刻，但這一過程被限制在高度局域化、較小的區(qū)域，很難用于處理整個表面。

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用等離子技術(shù)解決問題

簡單地生產(chǎn)質(zhì)量較低的部件，在允許的污染水平下，滿足特定市場、應(yīng)用或價格點的要求。 然而，仍然存在一些風(fēng)險，特別是如果低質(zhì)量導(dǎo)致產(chǎn)品徹底失敗。

另一種方法是首先消除導(dǎo)致部件污染的因素。?這將涉及到要么完全消除制造步驟(可能由于成本或技術(shù)問題不可能)，要么完全返工或搬遷生產(chǎn)線，這可能會非常昂貴和耗時。

半導(dǎo)體也許最不具吸引力的解決方案就是簡單地把臟零件的問題交還給供應(yīng)商。?這本質(zhì)上把確保所有部件完全不受污染的責(zé)任推給了部件供應(yīng)商。 ?

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