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? ? ? ?光刻是在掩模中轉(zhuǎn)移幾何形狀圖案的過程，是覆蓋在表面的一層薄薄的輻射敏感材料(稱為抗輻射劑) ，也是一種半導(dǎo)體晶片。?圖5.1簡要說明了光刻用于集成電路制造的工藝。?如圖5.1(b)所示，輻射為通過口罩的透明部分傳播，使其暴露光刻膠不溶于顯影劑溶液，從而使之直接將掩模圖案轉(zhuǎn)移到晶圓上。?在定義模式之后，需要采用蝕刻工藝選擇性地去除屏蔽部分基本層。光刻曝光的性能由三個參數(shù)決定: 分辨率、注冊和吞吐量。?分辨率定義：半導(dǎo)體晶圓上的薄膜。?注冊是衡量其準確性的一個指標連續(xù)掩模上的模式可以對齊或疊加在同一晶圓片上先前定義的圖案。?吞吐量是數(shù)量每小時可以暴露在給定掩模水平下的晶圓。

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潔凈室 ?

集成電路制造設(shè)備需要一個潔凈室，特別是在光刻領(lǐng)域，沉積在半導(dǎo)體晶圓和光刻掩模上的灰塵顆粒可能造成設(shè)備缺陷。?如圖5.2所示，空氣中的顆粒附著在掩模表面的圖案可以是不透明的隨后轉(zhuǎn)移到電路模式，從而導(dǎo)致不好的后果。?例如，圖5.2中的粒子1可能導(dǎo)致底層有一個針孔?粒子2可能引起的收縮電流在金屬流道中流動，而粒子3可能導(dǎo)致短路從而使電路失效。 ?

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光學平板刻法 ???????略

光阻材料 ???????????略

圖形轉(zhuǎn)移 ???????????略

電子器件 ???????????略

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