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用單晶片處理器選擇性濕蝕刻磷酸中的 Si3N4/SiO2 的設計

在濕法工藝實施中使用單晶片處理器是先進半導體制造的一種趨勢，因為它具有無污染、靈活的工藝控制以及在不損壞圖案的情況下提高顆粒去除效率等優(yōu)點。然而，在去除氮化硅的過程中，不僅是磷酸消耗的成本問題，還有蝕刻速率、均勻性和選擇性等工藝性能，是使該工藝難以切換到單晶圓類型的障礙。從長凳類型。在這里，我們提出了一種新穎的設計，它引入了一個上晶圓加熱板來保持磷酸蝕刻劑的高溫，以克服單晶圓處理器在氮化物方面存在的蝕刻速率低、均勻性差和選擇性低的常見問題。剝離過程。在這項工作中，研究了單晶片處理器中的操作變量（如轉(zhuǎn)速、熔池時間和溫度）對蝕刻速率、均勻性和選擇性的交互影響，以深入了解該過程。蝕刻選擇性明顯從約降低。100 到60 當 H3PO4 溫度從 144°C 增加到 154°C 而引入加熱板已被證明可以顯著提高蝕刻選擇性。

在半導體制造中，氮化硅 (Si3N4) 和二氧化硅 (SiO2) 是最典型和廣泛使用的介電材料，用作硬掩模、犧牲層、注入間隔物或應力誘導膜。?氮化硅通常可以通過各種方法去除，例如干法蝕刻、HF、BOE（緩沖氧化物蝕刻）等。 然而，氮化硅對磷酸介質(zhì)中的氧化物的高蝕刻選擇性使得氧化硅充當蝕刻停止層，以保護下層膜或結構免受氮化膜條帶產(chǎn)生的損壞。

多年來，在批量晶片清洗過程中，磷酸 (H3PO4) 和水 (H2O) 的混合物一直被用于選擇性蝕刻 Si3N4 膜而不是 SiO2 層。該工藝需要完全去除 Si3N4，但保持最小的 SiO2 損失。

半導體制造中針對二氧化硅膜選擇性剝離氮化硅膜的傳統(tǒng)工藝使用商業(yè) H3PO4 溶液，該溶液由 85% H3PO4 和 15% H2O 組成，在高溫下（約 140–180°C）。將此溶液填充在工作臺工具中，加熱至高溫，保持恒定......

實驗性的???略

儀器，實驗細節(jié)? ?略

結果和討論????略

加熱板的影響，轉(zhuǎn)速和槳葉時間對氮化硅蝕刻速率的影響? ? 略

結論?????略

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