掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文研究了用兩步金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)工藝制備的黑硅（b-Si）的表面形態(tài)學(xué)和光學(xué)性能，研究了銀膜低溫退火和碳硅片蝕刻時(shí)間短的兩步MACE法制備硼硅吸收材料。該過程包括銀薄膜沉積產(chǎn)生的鎵氮?dú)猓缓筮M(jìn)行低溫退火。采用不同的蝕刻劑濃度，在HF：h2o2：DI水溶液中進(jìn)行蝕刻70s，以體積比的形式表示。然后分析了蝕刻劑濃度對(duì)b-Si表面形態(tài)和光學(xué)性質(zhì)的影響。計(jì)算了最大電位短路電流密度（Jsc(max)），以相對(duì)估算在300-1100nm光譜區(qū)域內(nèi)b-Si的光耦合性能。一旦在優(yōu)化的b-si吸收材料上制備了太陽能電池，計(jì)算出的電位Jsc(max)可以用來預(yù)測(cè)最大可實(shí)現(xiàn)的光電流。本實(shí)驗(yàn)采用電阻率為1-10Ω的p型單碳化硅晶片(250μm厚度)作為襯底，使用RCA技術(shù)預(yù)先清洗晶片，以去除污染，為了制備b-Si，采用射頻濺射法，用15nm的銀薄膜沉積c-Si晶片，為了生產(chǎn)銀NPs，晶片在N2大氣(流速為2L/min)下以230?C退火40min，然后將晶片蝕刻在含高頻（50%）：過氧化氫（30%）：DI水的水溶液中。該溶液的體積比為X：Y：Z，分別對(duì)應(yīng)于HF、過氧化氫和DI水的體積，本實(shí)驗(yàn)中使用的體積比分別為1：5：5、1：5：10和1：5：20，蝕刻工作在室溫下進(jìn)行，蝕刻時(shí)間為70s。FESEM用于研究和表征b-硅納米孔的頂視圖和橫截面。利用FESEM圖...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料濕式蝕刻過程的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物，選擇性非常高，因?yàn)樗褂玫幕瘜W(xué)物質(zhì)可以非常精確地適應(yīng)于單個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)溶液的選擇性大于100：1。液體化學(xué)必須滿足以下要求：掩模層不能攻擊選擇性必須高蝕刻過程必須能夠停止稀釋水反應(yīng)產(chǎn)物必須是氣態(tài)，因?yàn)樗麄兛梢躁幱捌渌麉^(qū)域恒定蝕刻率整個(gè)過程反應(yīng)產(chǎn)物必須溶解，以避免顆粒環(huán)境安全和易于處置是必要的。在批量蝕刻中，多個(gè)晶片可以同時(shí)蝕刻，過濾器和循環(huán)泵可以防止顆粒到達(dá)晶片，由于化學(xué)濕蝕刻的濃度隨著每個(gè)加工晶圓而降低，因此必須經(jīng)常更新。蝕刻率，換句話說每次磨損，必須知道以確保一個(gè)可重復(fù)的過程，精確的回火是必要的，因?yàn)槲g刻速率隨著溫度的增加而增加。杠桿可以將晶圓的水平和葉片方向，在晶片被蝕刻后，蝕刻過程通過在單獨(dú)的浴缸中用水吹蝕而停止，隨后，在自旋干燥器中去除水分，批蝕刻的優(yōu)點(diǎn)是通量高，蝕刻工具構(gòu)造簡(jiǎn)單，但均勻性較低。 圖1.1批處理華林科納認(rèn)為噴霧蝕刻技術(shù)可與光刻技術(shù)的發(fā)展相媲美，晶片同時(shí)旋轉(zhuǎn)，蝕刻化學(xué)，均勻性很好，由于旋轉(zhuǎn)速度快，氣泡不能出現(xiàn)，但每個(gè)晶片都必須單獨(dú)處理，作為單晶片工藝的替代品，噴霧蝕刻可以一次在多個(gè)晶片上進(jìn)行，在一個(gè)旋轉(zhuǎn)蝕刻器中，晶片被放置在噴嘴周圍，并集中旋轉(zhuǎn)，然后，這些晶片在熱的氮?dú)鈿夥罩懈稍?。雖然液體中的分子可以向各個(gè)方向移動(dòng)，但濕蝕刻過程可以形成一個(gè)幾乎各向異...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料為了提高硅電池的效率，用氫氧化鉀和氫氧化鈉蝕刻溶液進(jìn)行紋理化，以降低電池表面的反射率，表面上具有各向同性的一般小圓提高了效率，但反射率提高。在低粗糙度的表面上提高了生產(chǎn)效率。本研究對(duì)單晶硅晶片進(jìn)行了表面組織化，分別為堿性溶液和酸性溶液，反應(yīng)后硅烷；研究了孔晶片表面的變化。 圖1圖1顯示出了Si硅晶片和由堿性溶液和酸性溶液進(jìn)行表面組織的樣品的反射率，在KOH蝕刻溶液中進(jìn)行表面組織的薄膜中反射率更低。表1給出了利用單晶硅晶片分別用2個(gè)KOH和NaOH蝕刻溶液進(jìn)行表面組織化的結(jié)果，在用KOH蝕刻溶液進(jìn)行表面組織的樣品中，效率較低。 圖1中的反射率在由KOH蝕刻溶液進(jìn)行表面組織的樣品中表現(xiàn)得更低，雖然KOH蝕刻溶液中的反射率較低，但效率卻很低，這表明除了高效能太陽能電池的反射率較低以外，還有必要找出提高效率的另一個(gè)原因。 表1 硅太陽能電池的電性能圖2為用KOH蝕刻溶液進(jìn)行表面組織的樣品表面放大3000倍的SEM照片，由于蝕刻速度隨硅晶片結(jié)晶方向的不同而變化，表面形成了各向異性的三角形金字塔形狀。 用NaOH蝕刻溶液進(jìn)行表面組織的樣品表面放大50000倍的SEM照片，表面整體上出現(xiàn)了細(xì)小的各向同性的圓形，比較直化結(jié)束的樣品的平坦度，可以看出KOH蝕刻與圖2比較時(shí)差異較大，可以確定，發(fā)生各向同性蝕刻的NaOH溶液所得樣品的平坦度要好得...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后，重復(fù)測(cè)量，然后確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術(shù)提供了優(yōu)于0.5納米的深度分辨率，通過顯示經(jīng)反應(yīng)離子蝕刻處理的p-Si（100）樣品的成分譜結(jié)果，以及被1keVAr+轟擊的n-Si（100）樣品的表面電位譜數(shù)據(jù)，證明了該技術(shù)的適用性。我們提出了一種新的硅切片方法，可以用來測(cè)量硅納米地下區(qū)域的組成、結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能，該方法使用紫外(UV)臭氧氧化結(jié)合氫氟(HF)酸蝕刻，在每一步去除0.5nm的硅層，通過在每個(gè)去除步驟中插入RBS和XPS，得到深度分析，給出了該技術(shù)應(yīng)用的兩個(gè)例子，一個(gè)應(yīng)用于反應(yīng)離子蝕刻(RIE)后的p型Si（100）表面，另一個(gè)應(yīng)用于1keVAr+離子轟擊后的n-Si（100）表面。 氧化物厚度，SiO-Si界面突然的3HF蝕刻對(duì)去除氧化物有效，但對(duì)硅無效，紫外線照射不會(huì)在材料中引入任何結(jié)構(gòu)缺陷，可以在不影響原始結(jié)構(gòu)的情況下測(cè)量這些尺度內(nèi)的結(jié)構(gòu)性能。這種方法的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，在高頻去除氧化層后，半導(dǎo)體表面被氫終止，氫抑制了在隨后的空氣暴露中的進(jìn)一步氧化，雖然使用高頻去除氧化層可能會(huì)引入氫相關(guān)缺陷，但這種缺陷預(yù)計(jì)不會(huì)改變近表面損傷結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈兛梢栽谥械葴囟认峦嘶?，事?shí)上，高頻鈍化已經(jīng)證明了在n-和p-Si上的平坦...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料在本研究中，研究表明，通過一個(gè)高度控制的過程，可以對(duì)陽極氧化鋁膜阻擋層進(jìn)行化學(xué)蝕刻，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)孔隙開口的納米級(jí)控制。這些在形貌和相圖像中觀察到的納米結(jié)構(gòu)可以理解為草酸陰離子污染的氧化鋁與純氧化鋁的差異，這一信息對(duì)催化、模板合成和化學(xué)傳感應(yīng)用具有重要意義。從孔開蝕刻研究可知，阻擋層刻蝕速率（1.3nm/min）高于內(nèi)細(xì)胞壁（0.93nm/min），均高于純氧化鋁層蝕刻速率（0.5~0.17nm/min），通過建立的蝕刻速率和蝕刻溫度，可以系統(tǒng)地控制孔徑從10~95nm。如前所述，通過兩步陽極化工藝制備了具有六邊形有序納米孔陣列的陽極氧化鋁(AAO)膜，鋁片在丙酮中脫脂，然后在氬氣氣氛下500°C氣氣氛下退火4小時(shí)，然后鋁片在200mA/cm2的電流密度的高氯酸和乙醇溶液中進(jìn)行電拋光10min，或直到達(dá)到鏡狀表面光滑。第一個(gè)陽極化步驟是在0.3M草酸溶液中，在3°C中進(jìn)行24小時(shí)，然后，在含有6wt%磷酸和1.8wt%鉻酸的溶液中，在60°C下蝕刻樣品12小時(shí)，將70µm厚的多孔氧化鋁層從鋁襯底中剝離。 圖1AAO納米孔的模型如圖1所示，C為細(xì)胞壁厚度較厚的細(xì)胞尺寸（孔間距離），P為孔徑，A為陽極氧化過程中向底部不斷移動(dòng)的曲率中心，納米孔生長(zhǎng)過程中的活性層是厚度為(d)，阻擋層有兩個(gè)活動(dòng)界面與屏障層相...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文研究了氫氧化鉀（氫氧化鉀）蝕刻過程對(duì)原子力顯微鏡制備的p型絕緣子上硅納米結(jié)構(gòu)的影響。采用電化學(xué)過程，如局部陽極氧化和兩個(gè)濕化學(xué)蝕刻步驟，氫氧化鉀去除硅和氫氟蝕刻，制備硅納米結(jié)構(gòu)。研究了純氫氧化鉀濃度(10%~30%wt)對(duì)表面質(zhì)量的影響。并考慮了蝕刻浸入時(shí)間對(duì)納米結(jié)構(gòu)和SOI表面蝕刻的影響。研究了不同氫氧化鉀濃度與10%IPA隨反應(yīng)溫度混合對(duì)蝕刻速率的影響，最常見的各向異性蝕刻劑是氫氧化鉀（氫氧化鉀），與其他各向異性蝕刻劑（如乙二胺、吡咯二酚）相比，更推薦用于硅蝕刻。在AFM-LAO方法中，一種氧化物圖案被轉(zhuǎn)移到頂部的硅層上，作為硅的選擇性蝕刻的掩模。液體蝕刻（氫氧化鉀）攻擊未覆蓋的頂部硅層，并且可以通過選擇性的化學(xué)蝕刻和去除不需要的硅區(qū)域來提取所需的結(jié)構(gòu)。研究了對(duì)蝕刻速率和表面粗糙度的蝕刻時(shí)間，并與以往的工作進(jìn)行了比較。在此問題上，我們考慮了原子力顯微鏡誘導(dǎo)的氧化物在蝕刻納米結(jié)構(gòu)上的比性質(zhì)。這可以作為未來AFM納米光刻、氫氧化鉀蝕刻等實(shí)驗(yàn)工作的指導(dǎo)，并完成之前的實(shí)驗(yàn)工作。 圖1該圖像蝕刻了氫氧化鉀為了研究氫氧化鉀對(duì)晶片表面的影響，我們使用不同濃度的p型（100）Si樣品。圖1顯示了在63-65oC（優(yōu)化制造溫度）的溫度范圍下，不同氫氧化鉀比例的溶液(10-30%wt)蝕刻硅晶片的AFM顯微圖像?？梢钥闯?，表面粗糙度隨著氫氧化鉀的百...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文涉及一種半導(dǎo)體的制造。在清洗步驟后，“PIRANHA-RCA”清洗順序的“SC 1”步驟中加入了預(yù)定濃度的EDTA等絡(luò)合物形成劑，以減少殘留在硅晶片表面的金屬雜質(zhì)。在制造半導(dǎo)體設(shè)備方面， 一種方法，用于在硅晶片上執(zhí)行的“RCA-清洗”清洗順序期間減少硅晶片表面上的金屬雜質(zhì)； 提供一種改性的“SC 1”清洗溶液，以保持溶液中結(jié)合的金屬絡(luò)合物，以防止金屬在上述硅晶片表面上的保留； 在提供的（NH4OH+H2O2+H2O）化學(xué)品溶液中加入預(yù)定數(shù)量的絡(luò)合物形成劑的步驟，用于上述“RCA-清洗”的“SC1”清洗步驟； 將上述改性的“SC 1”清洗溶液保留在儲(chǔ)罐工具中的步驟； 以及在所述改進(jìn)的“RCA-清洗”的“SC1”步驟期間的預(yù)定時(shí)間內(nèi)在所述改性的“SC1”清洗溶液中浸漬所述硅晶片的改進(jìn)方法。 一種方法，用于在硅晶片上執(zhí)行的“RCA-清洗”清洗順序期間減少硅晶片表面上的金屬雜質(zhì)； 提供一種改性的“SC 1”清洗溶液，以保持溶液中結(jié)合的金屬絡(luò)合物，以防止金屬在上述硅晶片表面上的保留。 圖1 為一般被通知為“RCA-清洗”的半導(dǎo)體制造清洗順序的流程圖。 圖2為對(duì)第一圖中的“RCA-清洗”加以改進(jìn)的、本發(fā)明的一個(gè)球體例子的半導(dǎo)體制造清洗順序的流程圖
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文涉及一種基板處理方法，更詳細(xì)地說，涉及一種用于清洗基板的基板清洗方法。上述稀釋氨水提供的基板清潔方法，溫度為20℃至70℃，包含上述硫酸和過氧化氫的混合液(SPM)是一種基板清潔方法，其混合比例為110℃至130℃硫酸和常溫過氧化氫為2:1至6:1。一般情況下，半導(dǎo)體設(shè)備是在基板上以薄膜形式沉積多種物質(zhì)，并將其墊片制造而成，蝕刻工藝是去除在基板上形成的膜質(zhì)的工藝，清潔工藝是去除半導(dǎo)體制造的各端上工藝進(jìn)行后殘留在基板表面的污染物的工藝，蝕刻工藝及洗凈工藝按工藝進(jìn)行方式分為濕法方式和干法方式，濕法方式分為布局型式和自旋型式。 本發(fā)明的實(shí)施例試圖在特定的基板清洗工藝中降低基板上的輕視污染物生成率，根據(jù)本發(fā)明的一方面，第一步驟，通過向基板提供包含硫酸和過氧化氫的混合液(SPM)，對(duì)上述基板進(jìn)行藥液處理； 在上述第一階段之后，將稀釋的氨水供給上述基板，對(duì)上述基板進(jìn)行藥液處理的第二階段； 在上述第二階段之后，對(duì)上述基板進(jìn)行護(hù)發(fā)素的第三階段； 及在上述第3階段之后，可提供一種包括干燥上述基板的第4階段的基板清潔方法。 此外，包含上述硫酸和過氧化氫的混合液(SPM)可由110℃至130℃硫酸與常溫過氧化氫以2:1至6:1的比例混合而成，上述稀釋的氨水可與去離子水(DIW)和氨水以20:1至300:1的比例混合。 此外，上述稀釋后的氨水可提供20℃至70℃。 ...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料寬帶隙材料，例如氮化鎵正在成為使電子性能更上一層樓的技術(shù)。與硅器件相比，基于GaN的電子元件具有許多重要優(yōu)勢(shì)，包括更緊湊的尺寸、更高的功率密度、更高的效率、更低的開關(guān)損耗和更好的熱管理。這些因素對(duì)于 滿足與高功率和高密度應(yīng)用相關(guān)的日益嚴(yán)格的要求至關(guān)重要。1.為什么GaN的寬帶隙如此重要？幾十年來，大多數(shù)電力電子器件都是以硅為基礎(chǔ)的，硅是一種可以低成本制造并且?guī)缀鯖]有缺陷的半導(dǎo)體。硅的理論性能現(xiàn)在幾乎已經(jīng)完全達(dá)到，突出了這種材料的一些限制，包括有限的電壓阻斷和有限的傳熱能力、效率和不可忽略的傳導(dǎo)損耗。寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體，如氮化鎵(氮化鎵)，提供優(yōu)于硅的性能，如更高的效率和開關(guān)頻率，更高的工作溫度和更高的工作電壓。氮化鎵的帶隙為3.2電子伏(eV)，比硅的帶隙高出近3倍，等于1.1 eV。這意味著需要更多的能量來激發(fā)半導(dǎo)體導(dǎo)電帶中的價(jià)電子。雖然這種特性限制了氮化鎵在超低電壓應(yīng)用中的使用，但它具有允許更高擊穿電壓和更高溫度下更高熱穩(wěn)定性的優(yōu)勢(shì)。GaN大大提高了功率轉(zhuǎn)換級(jí)的效率，在高效電壓轉(zhuǎn)換器、功率MOSFETs和肖特基二極管的生產(chǎn)中成為硅的寶貴替代品。與硅相比，氮化鎵可以獲得重要的改進(jìn)，例如更高的能效、更小的尺寸、更輕的重量和更低的總成本。2.GaN和SiC相似嗎？氮化鎵和碳化硅都是寬帶隙材料。雖然這些材料都具有出色的性能，但它們的特性...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料碳化硅是由硅和碳組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙(WBG)材料家族。它的物理結(jié)合非常牢固，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許SiC要在高于硅的結(jié)溫(甚至超過200℃)下使用的器件。碳化硅在功率應(yīng)用中提供的主要優(yōu)勢(shì)是其低漂移區(qū)電阻，這是高壓功率器件的一個(gè)關(guān)鍵因素。SiC基功率器件得益于優(yōu)異的物理和電子特性的結(jié)合，正在推動(dòng)電力電子的徹底變革。雖然這種材料很久以前就為人所知，但它作為半導(dǎo)體的應(yīng)用相對(duì)較新，這在很大程度上是由于可以獲得大而高質(zhì)量的晶片。近幾十年來，人們的努力集中在開發(fā)特定和獨(dú)特的高溫晶體生長(zhǎng)工藝上。雖然碳化硅具有不同的多晶型晶體結(jié)構(gòu)(也稱為多型)，但4H-碳化硅多型六方晶體結(jié)構(gòu)最適合高功率應(yīng)用。六英寸碳化硅晶片如圖1所示。 圖1: 6英寸SiC晶圓1.SiC的主要性能有哪些？硅和碳的結(jié)合使這種材料具有優(yōu)異的機(jī)械、化學(xué)和熱性能，包括:·高導(dǎo)熱性·低熱膨脹和優(yōu)異的抗熱震性·低功耗和開關(guān)損耗·高能效·高工作頻率和溫度(工作溫度高達(dá)200°C結(jié))·小管芯尺寸(具有相同的擊穿電壓)·本征體二極管·出色的熱管理降低了冷卻要求·長(zhǎng)壽命2.SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用？碳化硅是一種非常適合電力應(yīng)用的半導(dǎo)體，這首先要?dú)w功于其...
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