華林科納研發(fā)的單片清洗設(shè)備已升級(jí)為單腔多層的機(jī)臺(tái)類型，可以支持多種溶液在一個(gè)反應(yīng)腔里相繼進(jìn)行腐蝕清洗工作。該設(shè)備里配有承接晶片的承片臺(tái)，它載著硅片變換不同的高度。在不同高度處，會(huì)有不同的溶液噴到正在旋轉(zhuǎn)的晶片表面，完成特定的功能后按不同的溶液回收到不同的回收區(qū)域，酸液即可被循環(huán)使用?！?單腔多層腔體結(jié)構(gòu)示意圖延展閱讀★華林科納公司簡(jiǎn)介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂
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旋轉(zhuǎn)噴淋清洗是浸入型清洗的變型。系統(tǒng)中一般包括自動(dòng)配液系統(tǒng)、清洗腔體、廢液回收系統(tǒng)。噴淋清洗在一個(gè)密封的工作腔內(nèi)一次完成化學(xué)清洗、去離子水沖洗、旋轉(zhuǎn)甩干等過程，減少了在每一步清洗過程中由于人為操作因素造成的影響。在噴淋清洗中由于旋轉(zhuǎn)和噴淋的效果，使得硅片表面的溶液更加均勻，同時(shí)，接觸到硅片表面的溶液永遠(yuǎn)是新鮮的，這樣就可以做到通過工藝時(shí)間設(shè)置，精確控制硅片的清洗腐蝕效果，實(shí)現(xiàn)很好的一致性。密封的工作腔可以隔絕化學(xué)液的揮發(fā)，減少溶液的損耗以及溶液蒸氣對(duì)人體和環(huán)境的危害。各系統(tǒng)分別貯于不同的化學(xué)試劑，在使用時(shí)到達(dá)噴口之前才混合，使其保持新鮮，以發(fā)揮最大的潛力，這樣在清洗時(shí)會(huì)反應(yīng)最快。用N2噴時(shí)使液體通過很小的噴口，使其形成很細(xì)的霧狀，至硅片表面達(dá)到更好的清洗目的。此方法適用于除去氧化膜或有機(jī)物。因?yàn)榛瘜W(xué)物質(zhì)在硅片表面停留的時(shí)間比較短，對(duì)反應(yīng)需要一定時(shí)間的清洗效果不好。在噴洗過程中所使用的化學(xué)試劑很少，對(duì)控制成本及環(huán)境保護(hù)有利。延展閱讀★華林科納公司簡(jiǎn)介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂
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VDMOS生產(chǎn)工藝基本結(jié)構(gòu)：?n+襯底，漏極D?n-外延層，漂移區(qū)?p阱（又叫p基區(qū)或體區(qū)）?n+源區(qū)，源極S?多晶硅柵，柵氧層，柵極G整個(gè)器件的構(gòu)成：?前述結(jié)構(gòu)實(shí)際只是器件的一個(gè)元胞，整個(gè)器件實(shí)際是由很多這樣的元胞并聯(lián)而成的?剖面圖 立體圖： 1、 原始硅片磨拋：原始硅片磨去40µm，拋光80µmN+535µm2、清洗，并且用顯微鏡檢查表面3、外延生長(zhǎng)N-：ρ=20~30Ω·cm,d=45µm4、清洗5、氧化：dox=6500±250Å，800℃-1000℃-800℃6、一次版7、腐蝕，去膠，清洗腐蝕：溫度25℃8、P+擴(kuò)散預(yù)擴(kuò)：R□=80～100Ω/□?700℃-940℃-700℃主擴(kuò)：R□=150～180Ω/□?800℃-1150℃-800℃9、氧化10、光刻：二次版反刻P+區(qū)，5000pm11、腐蝕，(溫度25℃)t=8.1s12、去膠清洗13、柵氧化?dox=1000-1100Å?作C-V檢查?實(shí)測(cè)dox=1060-1050Å14、生長(zhǎng)多晶硅7000ű200Å15、 清洗16、三次版：光刻P-區(qū)（多晶硅）三次版留下柵和互連的多晶硅（使多晶硅成為p型）17、腐蝕多晶硅（P-區(qū)），干腐：9'50'&#...
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清洗是工業(yè)生產(chǎn)必不可少的環(huán)節(jié)，目前工業(yè)清洗主要采用有機(jī)溶劑清洗和水溶液清洗。有機(jī)溶劑以揮發(fā)性溶劑（VOC)和含鹵素的氯氟爛（CFC)溶劑為主，每年全世界要用幾百萬噸，由此引起對(duì)臭氧層的破壞、對(duì)大氣環(huán)境的污染非常嚴(yán)重。1987年世界各國(guó)簽署的蒙特利爾公約已經(jīng)規(guī)定了這類溶劑的禁用日程表。水溶液清洗需要復(fù)雜的表面活性劑配方，干燥時(shí)間長(zhǎng)，處理的金屬易于生銹，而且會(huì)形成二次污染，也必然要增加設(shè)備和處理費(fèi)用。因此，研究開發(fā)環(huán)境友好的清洗劑和清洗方法成為當(dāng)務(wù)之急。超臨界CO2(SCCO2)是一種可以代替VOC和CFC的清洗劑，具有一定的優(yōu)點(diǎn)。SCCO2對(duì)有機(jī)物有一定的溶解能力，清洗過程中對(duì)各種清洗材料性能穩(wěn)定，粘度低和擴(kuò)散性高，表面張力低，潤(rùn)濕性良好，極易滲入待清洗材料內(nèi)部，可有效去除死區(qū)的污垢，清洗后無需干燥，無殘留。1 超臨界流體的特性超臨界流體是指物質(zhì)的溫度和壓力分別處在其臨界溫度和臨界壓力之上時(shí)的一種特殊的流體狀態(tài)。超臨界流體的密度為氣體的數(shù)百倍，接近于液體，粘度接近于氣體，擴(kuò)散系數(shù)大約為氣體的1%,而較液體大數(shù)百倍。一般來講，超臨界流體的密度越大，其溶解度就越大。在恒溫下，超臨界流體中物質(zhì)的溶解度隨壓力升高而增大。將溫度和壓力適當(dāng)變化，可使溶解度在102~103倍的范圍內(nèi)變化。超臨界流體的這一特性，會(huì)產(chǎn)生兩種十分有利的應(yīng)用效果：一方面，目標(biāo)物（如要清除的污染物等）會(huì)最大限度地溶解于超臨...
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國(guó)外經(jīng)典半導(dǎo)體工藝視頻：晶圓表面電路的設(shè)計(jì)（下）↑ 此文件僅供參考學(xué)習(xí)，勿用于商業(yè)用途延展閱讀★華林科納公司簡(jiǎn)介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂
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華林科納晶圓電鍍?cè)O(shè)備分兩個(gè)系列， CPE(半自動(dòng))/CPEA（全自動(dòng)），主要 用于半導(dǎo)體晶圓凸點(diǎn)UBM金屬層制作 以及陶瓷基板上的金屬層的電鍍； 還 可用于硅片制造中表層剝離、去除雜 質(zhì)以及大尺寸圖形腐蝕等方面。? 目前,比較典型的凸點(diǎn)制作工藝流程主要包括焊料凸點(diǎn)制作和金凸點(diǎn)制作。? 焊料凸點(diǎn)制作工藝流程: ? 清洗→濺射Ti/Cu→光刻1→電鍍Cu/Ni→去膠→腐蝕→介質(zhì)制作→光刻2→腐蝕介質(zhì)→去膠→濺射Ti/Cu→光 刻3→鍍Cu/Ni→鍍焊料→去膠→腐蝕Cu→腐蝕Ti→硅片回流→檢測(cè)凸點(diǎn)→劃片分割→成品。? 金凸點(diǎn)制作工藝流程: ? 清洗→濺射TiW/Au→厚膠光刻→掃膠→電鍍Au→去膠→清洗→腐蝕Au→腐蝕TiW→退火→檢測(cè)→成品。? 一般來說,凸點(diǎn)制備過程中,主要采用電鍍銅、鎳、金、錫鉛、錫銀等鍍種,一些特殊的凸點(diǎn)工藝還使用金錫、 錫、銀、銦、化學(xué)鍍鎳等鍍種。 更多的半導(dǎo)體清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
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刻蝕的目的是把經(jīng)曝光、顯影后光刻膠微圖形中下層材料的裸露部分去掉，即在下層材料上重現(xiàn)與光刻膠相同的圖形?？涛g方法分為：干法刻蝕和濕法刻蝕，干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)，一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū)，它是各向異性的刻蝕技術(shù)，即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi)，各個(gè)方向上的刻蝕速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù)；濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù)，這是各向同性的刻蝕方法，利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料，通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù)，有時(shí)金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)，國(guó)內(nèi)的蘇州華林科納CSE在濕法這塊做得比較好。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程：二氧化硅腐蝕：在二氧化硅硅片腐蝕機(jī)中進(jìn)行，國(guó)內(nèi)腐蝕機(jī)做的比較好的有蘇州華林科納（打個(gè)廣告），腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時(shí)，腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高，腐蝕越快，摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對(duì)溫度最敏感，溫度越高，腐蝕越快。具體步驟為：1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤(rùn)劑（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃動(dòng)，浸潤(rùn)劑（FUJI FILM DRIWEL）的作用是減小硅片的表面張力，使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸，從而達(dá)到充分腐蝕；2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液（氟化銨溶液）的槽中浸泡...
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光刻的作用是把掩模版上的圖形轉(zhuǎn)換成晶圓上的器件結(jié)構(gòu)，它對(duì)集成電路圖形結(jié)構(gòu)的形成，如各層薄膜的圖形及摻雜區(qū)域等，均起著決定性的作用。 光刻的基本流程：前處理——涂膠——對(duì)版曝光——顯影——顯影檢查——后烘——腐蝕——腐蝕檢查——去膠——檢驗(yàn)歸批。前處理硅片容易吸附潮氣到它的表面，硅片暴露在潮氣中叫做親水性。對(duì)于光刻膠的粘附性，具有干燥成疏水性的硅片表面非常重要，所以在成底膜和光刻膠旋涂前要進(jìn)行脫水烘焙。典型的烘焙是在傳統(tǒng)的充滿惰性氣體（如氮?dú)猓┑暮嫦浠蛘哒婵蘸嫦渲型瓿?，?shí)際的烘焙溫度是可變的，常用的溫度是200—250℃。脫水后的硅片馬上要用OAP （常用HMDS溶液：六甲基二硅胺烷）成底膜進(jìn)行表面處理，它起到提高粘附力的作用。在硅片成底膜操作后盡快涂膠，使潮氣問題達(dá)到最小化。成底膜的方法有：1、滴浸潤(rùn)液和旋涂：溫度和用量容易控制，但系統(tǒng)需要排液和排氣裝置，HMDS溶液消耗量大。2、噴霧分滴和旋轉(zhuǎn)：優(yōu)點(diǎn)是噴霧有助于硅片上顆粒的去除，缺點(diǎn)是處理時(shí)間長(zhǎng)和HMDS消耗大。3、氣相成底膜和脫水烘焙：最常用，氣相成底膜一般200—250℃下約30S完成。優(yōu)點(diǎn)是由于沒有與硅片接觸減少了來自液體HMDS顆粒沾污的可能，HMDS的消耗量也小。一種方法是先進(jìn)行脫水烘焙，再將單個(gè)硅片置于熱板上通過熱傳導(dǎo)熏蒸形成底膜，這種方法優(yōu)點(diǎn)是硅片由里向外烘焙，低缺陷密度，均勻加熱和可重復(fù)性。另一種方法是以...
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這主要從兩個(gè)方面來考慮：一個(gè)是材料和工藝問題；另一個(gè)是電氣性能問題。 P型半導(dǎo)體是在單晶硅（或鍺）中參入微量的三價(jià)元素，如：硼、銦、鎵或鋁等；N型半導(dǎo)體是在單晶硅（或鍺）中參入微量的五價(jià)元素，如：磷、銻、砷等。P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體，在材料成本方面應(yīng)該差別不是很大，但要把它做成一個(gè)電子產(chǎn)品，在生產(chǎn)工藝方面會(huì)存在很大的差異。 例如，用本征鍺材料制作PNP晶體管相對(duì)于用本征鍺材料制作NPN晶體管容易很多，因?yàn)殂熍c鍺比較容易結(jié)合（擴(kuò)散）；同樣，用本征硅材料制作NPN晶體管，相對(duì)于用本征硅材料制作PNP管要容易很多。 某種半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的誕生并不是一天就可以達(dá)到盡善盡美的，需要通過大量試驗(yàn)和經(jīng)驗(yàn)積累。早期生產(chǎn)的場(chǎng)效應(yīng)管大部分是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，這種結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管在結(jié)構(gòu)方面與PNP晶體管很相似，兩者的區(qū)別主要是基區(qū)引出電極的區(qū)別（基極與源極和漏極）。晶體管把中間的一層（N區(qū)）當(dāng)成一個(gè)電極引出稱為基極，其余上下兩層（P-P區(qū)）分別當(dāng)發(fā)射極和集電極引出；而場(chǎng)效應(yīng)管則是把基區(qū)當(dāng)成一個(gè)導(dǎo)電溝道（N溝道），并在其兩端分別引出一個(gè)電極，稱為源極和漏極，其余上下兩層（P-P區(qū)）分別當(dāng)源極和柵極引出。...
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RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA實(shí)驗(yàn)室首創(chuàng)的，并由此而得名。RCA是一種典型的、至今仍為最普遍使用的濕式化學(xué)清洗法，該清洗法主要包括以下幾種清洗液。 （1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并能把有機(jī)物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有機(jī)沾污和部分金屬，但是當(dāng)有機(jī)物沾污特別嚴(yán)重時(shí)會(huì)使有機(jī)物碳化而難以去除。 （2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附著在自然氧化膜上的金屬將被溶解到清洗液中，同時(shí)DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，F(xiàn)e，Zn，Ni等金屬，DHF也可以去除附著在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。用DHF清洗時(shí)，在自然氧化膜被腐蝕掉時(shí)，硅片表面的硅幾乎不被腐蝕。 （3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O ...
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