氧化/擴(kuò)散/退火設(shè)備是半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)中的重要熱工藝設(shè)備。氧化是將硅片放置于氧氣或水汽等氧化劑的氛圍中進(jìn)行高溫?zé)崽幚恚诠杵砻姘l(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成氧化膜的過程。擴(kuò)散是指在高溫條件下，利用熱擴(kuò)散原理將雜質(zhì)元素按工藝要求摻入硅襯底中，使其具有特定的濃度分布，從而改變硅材料的電學(xué)特性。退火是指加熱離子注入后的硅片，修復(fù)離子注入帶來的晶格缺陷的過程。用于氧化/擴(kuò)散/退火的基本設(shè)備有三種：臥式爐、立式爐和快速升溫爐（RTP）。根據(jù) 2018 年 Gartner 的數(shù)據(jù)，氧化/擴(kuò)散/退火設(shè)備占晶圓制造（含先進(jìn)封裝）設(shè)備的 3%左右。氧化工藝氧化是將硅片放置于氧氣或水汽等氧化劑的氛圍中進(jìn)行高溫?zé)崽幚?，在硅片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成氧化膜的過程。氧化膜的用途廣泛，主要有以下幾個(gè)方面：（1）保護(hù)器件免受劃傷和沾污；（2）表面鈍化層；（3）形成柵極氧化層或者作為存儲器單元結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)材料；（4）摻雜過程中的掩蔽層；（5）金屬導(dǎo)電層之間的介質(zhì)層等等。
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華林科納之半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資備忘錄一、 概述（一）行業(yè)業(yè)績回顧 1（二）篩選標(biāo)的邏輯 3（三）疫情影響 4（四）行業(yè)展望 5（五）推薦標(biāo)的清單 6二、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈與細(xì)分領(lǐng)域概況（一）產(chǎn)業(yè)鏈概況 9（二）半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域 9（三）半導(dǎo)體產(chǎn)品分類 11（四）國產(chǎn)細(xì)分領(lǐng)域發(fā)展 12三、半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域行業(yè)情況（一）集成電路 131、處理器 132、DSP 173、FPGA 184、存儲芯片 195、人工智能芯片 226、EDA軟件 257、顯示驅(qū)動(dòng)芯片 268、觸控與指紋識別芯片 289、射頻前端芯片 3110、藍(lán)牙芯片 3611、電源管理芯片 38（二）傳感器 401、圖像傳感器 402、MEMS傳感器 42（三）分立器件 461、功率半導(dǎo)體 462、晶振 523、電容電阻 543、超級電容 57（四）光電子器件 591、光模塊 592、光芯片 62（五）制造 631、晶圓代工 63（六）封測 651、第四代封裝技術(shù)之一：WLCSP 封裝 66（七）材料 671、硅片 712、濕電子化學(xué)品 723、靶材 753、光刻膠 75（八）設(shè)備 771、光刻機(jī) 792、刻蝕設(shè)備 803、薄膜設(shè)備 814、其他設(shè)備 81一、概述（一）行業(yè)業(yè)績回顧在中美貿(mào)易摩擦、高科技企業(yè)被美封鎖的背景下，2019年電子行業(yè)在逆境中迅速發(fā)展，整體實(shí)現(xiàn)營收與利潤的共同增長。以申萬電子行業(yè)板塊的上市公司為樣本進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，20...
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半導(dǎo)體的工藝流程：主要包括四個(gè)方面，單晶硅片制造、IC芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝測試。這四大流程里，除了IC芯片設(shè)計(jì)對于半導(dǎo)體設(shè)備的需求很少，其他3個(gè)都需要大量的半導(dǎo)體設(shè)備。 單晶硅片制造需要單晶爐等設(shè)備，IC晶圓制造需要光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜設(shè)備、擴(kuò)散/離子注入設(shè)備、濕法設(shè)備、過程檢測等6大類設(shè)備。封裝測試需要封裝機(jī)，封膜機(jī) ，測試機(jī)等設(shè)備。其中國內(nèi)濕法設(shè)備廠商主要從事半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售；目前已形成濕槽式清洗、單片刻蝕、干燥甩干系列、供液系統(tǒng)、電（化學(xué)）鍍五大系列產(chǎn)品； 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料加工、集成電路、光伏產(chǎn)品、LED、MEMS以及分立器件等行業(yè)和領(lǐng)域。今天主要來介紹下華林科納RCA濕法腐蝕清洗機(jī)設(shè)備 一、設(shè)備概況設(shè)備名稱：RCA濕法腐蝕清洗機(jī)整機(jī)尺寸：具體尺寸根據(jù)實(shí)際圖紙確定二、使用對象硅晶片2-12inch三、適用領(lǐng)域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等四、設(shè)備用途硅晶片化學(xué)腐蝕和清洗的設(shè)備五、設(shè)備包括設(shè)備主體、電氣控制部分、化學(xué)工藝槽、純水清洗槽等；并提供與廠務(wù)供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統(tǒng)配套的接口等。六、主體構(gòu)造特點(diǎn)1、設(shè)備為半敞開式，主體使用進(jìn)口WPP15和10mm厚板材，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)充分考慮長期工作在酸腐蝕環(huán)境，堅(jiān)固耐用，雙層防漏，機(jī)臺底盤采用德國產(chǎn)瓷白PP板，熱焊接而成，可長期工作在酸堿腐蝕環(huán)境...
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2014年9月，國家大基金一期成立，總投資額1387億，帶動(dòng)新增社會融資約5000億，實(shí)現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的全覆蓋。近日國家大基金披露，二期基金已到位，11月開始投資。實(shí)際募資2000億左右，按照1∶3的撬動(dòng)比，所撬動(dòng)的社會資金規(guī)模在6000億左右。二期基金投資的布局重點(diǎn)在集成電路裝備、材料領(lǐng)域。2019年1-6月，我國集成電路進(jìn)口額1376.2億美元，同比下降6.9%；集成電路出口額457.5億美元，同比增長17.1%。這說明隨著我國集成電路技術(shù)的進(jìn)步，以及產(chǎn)能的擴(kuò)張，我國集成電路進(jìn)口替代取得了顯著的效果。我國集成電路產(chǎn)業(yè)從前期大力投入，開始進(jìn)入收獲季節(jié)，相關(guān)公司開始增收增利。近日爆發(fā)的日韓貿(mào)易戰(zhàn)中，韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)就因日本限制了關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的出口，而被鎖住了命運(yùn)的咽喉，半導(dǎo)體材料也因此成為了各界所關(guān)注的焦點(diǎn)。在整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，半導(dǎo)體材料處于產(chǎn)業(yè)鏈上游，是整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的重要支撐。在集成電路芯片制造過程中，每一個(gè)步驟都需要用到相應(yīng)的材料。半導(dǎo)體材料主要包括晶圓制造材料與封裝測試材料兩大類。其中，晶圓制造材料主要包括硅晶圓、光刻膠、掩膜版、電子特種氣體、濕電子化學(xué)品、濺射靶材、CMP 拋光材料等；封裝材料包括引線框架、基板、陶瓷封裝材料、鍵合絲、封裝樹脂、芯片貼裝材料等(圖 1)。 圖 1 半導(dǎo)體材料涉及工藝流程(紅色為濕電子化學(xué)品應(yīng)用環(huán)節(jié))一濕電子化學(xué)品簡述濕電子化...
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一、激光器的發(fā)展 1916年愛因斯坦提出了一套全新的技術(shù)理論‘受激輻射’。這一理論說明在組成物質(zhì)的原子中，有不同數(shù)量的電子分布在不同的能級上，在高能級上的粒子受到某種光子的激發(fā)，從高能級躍遷到低能級上，這時(shí)將會輻射出與激發(fā)它的光相同性質(zhì)的光，而且在某種狀態(tài)下，能出現(xiàn)一個(gè)弱光激發(fā)出一個(gè)強(qiáng)光的現(xiàn)象。這就叫做“受激輻射的光放大”，簡稱激光。 1960年7月7日，梅曼研制成功世界上第一臺激光器，梅曼的方案是，利用一個(gè)高強(qiáng)閃光燈管，來刺激在紅寶石色水晶里的鉻原子，從而產(chǎn)生一條相當(dāng)集中的纖細(xì)紅色光柱，當(dāng)它射向某一點(diǎn)時(shí)，可使其達(dá)到比太陽表面還高的溫度。 到目前為止，激光產(chǎn)業(yè)得到空前發(fā)展，制造出了各種各樣的激光產(chǎn)品，其中包括固體激光器、氣體激光器、液體激光器以及其他激光器。涉及到醫(yī)學(xué)治療、工業(yè)切割、測量、探測、激光武器、條形碼識別等多個(gè)領(lǐng)域，具有非常誘人的前景。 二、半導(dǎo)體激光器發(fā)展及應(yīng)用 半導(dǎo)體激光器的發(fā)展是從上世紀(jì)60年代開始的。當(dāng)時(shí)的半導(dǎo)體激光器主要是同質(zhì)結(jié)激光器，外形類似于晶體二極管，故常被稱為二極管激光器，但此種激光器在實(shí)際應(yīng)用中存在很多限制。第二階段是異質(zhì)結(jié)構(gòu)激光器，首先是單異質(zhì)結(jié)構(gòu)激光器，但它因無法實(shí)現(xiàn)室溫下連續(xù)工作而被淘汰，然后出現(xiàn)雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)激光器解決了這個(gè)問題。1978年出現(xiàn)了世界上第一個(gè)半導(dǎo)體量子阱激光器...
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半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。 半導(dǎo)體材料主要應(yīng)用于晶圓制造與芯片封裝環(huán)節(jié)。由于半導(dǎo)體制造與封測技術(shù)的復(fù)雜性，從晶圓裸片到芯片成品，中間需要經(jīng)過氧化、濺鍍、光刻、刻蝕、離子注入、以及封裝等上百道特殊的工藝步驟，半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步也帶動(dòng)了上游專用材料與設(shè)備產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。就半導(dǎo)體材料而言，主要應(yīng)用領(lǐng)域集中在晶圓制造與芯片封裝環(huán)節(jié)(如圖)： 半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中細(xì)分領(lǐng)域最多的產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，其中晶圓制造材料包括硅片、光刻膠、光刻膠配套試劑、濕電子化學(xué)品、電子氣體、 CMP 拋光材料、以及靶材等，芯片封裝材料包括封裝基板、引線框架、樹脂、鍵合絲、錫球、以及電鍍液等，同時(shí)類似濕電子化學(xué)品中又包含了酸、堿等各類試劑，細(xì)分子行業(yè)多達(dá)上百個(gè)。硅片硅片的生產(chǎn)過程非常復(fù)雜，從硅石到硅片需要經(jīng)過提純、熔鑄、拉棒、切割、拋光、清洗等多道工序。一般而言，硅片要經(jīng)過硅石的三步提純制備出純度為 99.9999999%的半導(dǎo)體級硅，再通過熔鑄、拉棒等工藝流程生產(chǎn)成適當(dāng)直徑的硅錠，最后被切割、拋光、清洗并通過質(zhì)檢環(huán)節(jié)后，...
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5G時(shí)代下的VR/AR是通信產(chǎn)業(yè)的升級方向，產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)已日益完備 伴隨2G到4G的升級，人類基于移動(dòng)終端的信息交互媒介經(jīng)歷了文字、語音、圖片、視頻的演進(jìn)，而在5G時(shí)代，通信的發(fā)展有望繼續(xù)拓展所傳遞信息的縱深。因此我們認(rèn)為，基于VR/AR的實(shí)景交互代表著通信產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展方向。當(dāng)前時(shí)點(diǎn)，5G的成熟為克服3D內(nèi)容實(shí)時(shí)傳輸問題，以及因延遲造成的眩暈問題構(gòu)建了網(wǎng)絡(luò)環(huán)境，而相應(yīng)光學(xué)元件、顯示方案、專用芯片的推出則為終端的興起搭建了硬件基礎(chǔ)。此外，下半年及明年華為、蘋果等大品牌終端的發(fā)布有望提振VR市場熱度，推薦歌爾股份、水晶光電、利亞德、京東方A，建議關(guān)注韋爾股份、聯(lián)創(chuàng)電子、蘇大維格、匯頂科技?！ ?G網(wǎng)絡(luò)的傳輸速度有效解決終端互聯(lián)和眩暈問題 現(xiàn)階段主流VR頭顯刷新率在75-90Hz，在90Hz刷新率以及H.264壓縮協(xié)議下，我們計(jì)算得到1K分辨率的VR內(nèi)容需要21Mbps碼率，相較于僅能提供10Mbps碼率的4G網(wǎng)，5G可實(shí)現(xiàn)100-1024Mbps碼率，已經(jīng)可以滿足未來單眼8K的碼率要求。此外，VR頭顯的顯示時(shí)延極限為20ms，若超過20ms部分用戶會有明顯的眩暈感，目前VR頭顯的內(nèi)部圖像渲染以及刷新等時(shí)間約15-16ms，若增加4G網(wǎng)絡(luò)下額外10ms時(shí)延，用戶感知時(shí)延將遠(yuǎn)超過20ms，而僅有1ms的超低時(shí)延的5G可有效解決該問題。 VR芯片、光學(xué)元件、顯示屏等硬件基礎(chǔ)已具備，VR頭...
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1引言硅片上的有機(jī)﹑無機(jī)和顆粒狀雜質(zhì)通常是以化學(xué)或物理吸附的方式結(jié)合于硅片表面或包埋于硅片自身的氧化膜中。這些沾染物及顆粒狀雜質(zhì)會嚴(yán)重影響器件的性能﹑可靠性和成品率。實(shí)驗(yàn)表明，有超過50％的次品是由于清洗不當(dāng)造成的，從而使得超凈表面的制備工藝成了制作大規(guī)模和超大規(guī)模（VLSI）集成電路（IC）的關(guān)鍵技術(shù)。所謂超凈表面即要求硅片表面無顆粒狀雜質(zhì)和有機(jī)、金屬沾染物（保守地說，表面的金屬雜質(zhì)應(yīng)少于每平方厘米1010個(gè)原子；大于0.1mm的粒子應(yīng)少于每平方厘米0.1個(gè)），無自身氧化物，完全氫終端﹑表面的微觀粗糙度要小[1，2]。因此清洗時(shí)必須有效地去除表面有機(jī)與無機(jī)沾染物，而又不侵蝕和破壞硅片表面或?qū)е卤砻娲植诨?。目前世界各國在半?dǎo)體器件生產(chǎn)中普遍采用的是Kern于1970年發(fā)明的RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗方法[1]。自90年代初期，人們開始致力于新型清洗工藝和清洗劑的研究以取代RCA清洗技術(shù)。1996年W.A.Cady和M.Varadarajan[3]提出了采用四甲基氫氧化氨[N(CH3)4OH)]與羧酸鹽緩沖劑配置的堿性水溶液噴霧清洗法；1997年JoongS.Jeon和SriniRaghavan[4，5]提出了利用兆聲波激發(fā)臭氧水對硅片進(jìn)行清洗；1998年GeoffreyL.Bakker[6]等人提出了用水和水/CO2混合溶液在高溫、高壓下的清洗等等。1995年山東大學(xué)光電材料與器件研究所研制成...
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一、什么是半導(dǎo)體？半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)，它的電阻率在10-3~109范圍內(nèi)。自然界中屬于半導(dǎo)體的物質(zhì)很多，用于制造半導(dǎo)體的材料主要是硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）。純凈的半導(dǎo)體電阻率很高，幾乎不導(dǎo)電。但在特定的條件下，如光照、摻雜等，它的電阻率可以降到幾十歐姆甚至更低，并且隨摻入的雜質(zhì)不同呈不同的導(dǎo)電特性。我們分別稱之為P（空穴導(dǎo)電）型半導(dǎo)體和N（電子導(dǎo)電）型半導(dǎo)體。P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體相接觸時(shí)，在接觸面就形成了PN結(jié)。PN結(jié)具有正向?qū)ǚ聪蚪刂沟奶匦裕盟梢灾频贸Ｓ玫亩O管。在集成電路制造中，常用的襯底材料是硅單晶片，根據(jù)圓片加工過程中硅單晶切割的晶格方向的不同，可把它分為和等晶向。在mos集成電路制造中，選用的是晶向的圓片。二、什么是集成電路？不同導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體組合在一起，可以做成二極管、三極管、電容、電阻，如果把這些元件做在同一塊芯片上，完成一定的電路功能，就稱之為集成電路。集成電路可分為雙極集成電路和MOS集成電路，MOS集成電路又可分為nMOS集成電路、pMOS集成電路和CMOS集成電路。三、集成電路中的常用薄膜。多晶硅常用在MOS器件中作為柵電極。也可用于高電阻的電阻器，及局部電路的短連線二氧化硅集成電路中使用的二氧化硅膜可分為熱二氧化硅和CVD淀積二氧化硅兩類。在MOS集成電路中，它有以下幾種用途：作為對付摻雜劑注入或擴(kuò)散進(jìn)硅的掩膜，...
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背景技術(shù)半導(dǎo)體單晶硅作為硅的單品體結(jié)構(gòu)，具有光學(xué)性能好、禁帶寬度低、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，是光、電、熱的優(yōu)良載體，在半導(dǎo)體集成電路、太陽能發(fā)電等方面應(yīng)用非常廣泛。同時(shí)，以單晶硅為基礎(chǔ)制作的硅材質(zhì)托盤應(yīng)用于藍(lán)寶石村底材料及窗口材料的生產(chǎn)過程中，可以大幅度提高生產(chǎn)過程的穩(wěn)定性，降低光學(xué)、電學(xué)缺陷的產(chǎn)生概率。氮化鋁（AIN)應(yīng)用于半導(dǎo)體中屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度寬、擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高以及抗輻射能力高等優(yōu)點(diǎn)，但其較高的化學(xué)情性使對其清洗及洗凈再生過程產(chǎn)生了一定的難度。發(fā)明內(nèi)容針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本發(fā)明提供半導(dǎo)體12英寸單晶硅托盤表面氨化鋁薄膜的清洗去除方法，采用一定比例的氫氧化鉀（KOH)、雙氧水（H2O2)與水（H20)的混合溶液（液A)清洗去除單晶硅托盤表面氮化鋁薄膜，KOH在混合液中起到去除單晶硅表面沉積ALN的作用，而H202在混合液中起到保護(hù)單晶硅的作用，浸泡過程單晶硅清洗侵蝕量大約為0.005mm左右；并采用體積分?jǐn)?shù)為3.4%的氨氟酸（HF)作為刻蝕藥液（溶液B),通過HF的刻蝕作用，可以有效降低并控制溶液A對單晶硅托盤表面晶界性能的影響，同時(shí)清洗損耗和產(chǎn)品質(zhì)量均可以得到很好的控制，具有成本低、損耗量低、潔凈度高、均勻性好等優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明的技術(shù)方案是：半導(dǎo)體12英寸單晶硅托盤表面氮化鋁薄膜的清洗去除方法，具體步驟如下：步驟一、選取兩個(gè)聚丙烯材料制作的浸...
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